關于可控硅

    鑒別可控硅三個較的辦法很簡單,依據(jù)P-N結的原理,只要用萬用表丈量一下三個較之間的電阻值就可以。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和操控較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,并且方向相反,因而陽極和操控較正反向都不通)。
    操控較與陰極之間是一個P-N結,因而它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的規(guī)模,反向電阻比正向電阻要大??墒遣倏剌^二極管特性是不太抱負的,反向不是**呈阻斷狀況的,可以有比較大的電流經(jīng)過,因而,有時測得操控較反向電阻比較小,并不能闡明操控較特性欠好。別的,在丈量操控較正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,避免電壓過高操控較反向擊穿。
    若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與操控較短路,或操控較與陰極反向短路,或操控較與陰極斷路,闡明元件已損壞。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、操控較(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其間一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2較,其間一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2較,剩余則為操控較(G)。
        1、單、雙向可控硅的區(qū)分:先任測兩個較,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A、K或G、A較(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G較(對雙向可控硅)。若其間有一次丈量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K較,黑筆接的為G較,剩余即為A較。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測,其間必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G較,黑筆所接為T1較,余下是T2較。 
        2、功能的不一樣:將旋鈕撥至R×1擋,關于1~6A單向可控硅,紅筆接K較,黑筆一起接通G、A較,在堅持黑筆不脫離A較狀況下斷開G較,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流?。H缓笏矔r斷開A較再接通,指針應退回∞方位,則標明可控硅**。 
        關于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1較,黑筆一起接G、T2較,在確保黑筆不脫離T2較的前提下斷開G較,指針應指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不一樣而異)。然后將兩筆對調(diào),重復上述過程測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則標明可控硅**,且觸發(fā)電壓(或電流)小。 
        若堅持接通A較或T2較時斷開G較,指針當即退回∞方位,則闡明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞??砂磮D2辦法進一步丈量,關于單向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,不然闡明可控硅損壞。
        關于雙向可控硅,閉合開關K,燈應發(fā)亮,斷開K,燈應不息滅。然后將電池反接,重復上述過程,均應是同一成果,才闡明是好的。不然闡明該器材已損壞。
    
    	
    

    深圳高科特半導體有限公司專注于可控硅,MOS管,二三極管等

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    詞條說明

  • 關于可控硅

    鑒別可控硅三個較的辦法很簡單,依據(jù)P-N結的原理,只要用萬用表丈量一下三個較之間的電阻值就可以。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和操控較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,并且方向相反,因而陽極和操控較正反向都不通)。 操控較與陰極之間是一個P-N結,因而它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的規(guī)模,反向電阻比正向電阻要大??墒遣倏剌^二極管特性是不太抱負的,反向

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