為各位詳細(xì)介紹電源管理技術(shù)性的具體歸類。
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電源管理半導(dǎo)體材料從所包括的元器件而言,確立注重電源管理集成電路(電源管理IC,通稱電源管理集成ic)的具體位置和功效。電源管理半導(dǎo)體材料包括兩一部分,即電源管理集成電路和電源管理分立式半導(dǎo)體器件。
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電源管理集成電路包括許多類型別,大概又分為工作電壓調(diào)節(jié)和通信接口兩層面。工作電壓凋整器包括線形低電壓降穩(wěn)壓電源(即LOD),及其正、負(fù)導(dǎo)出系列產(chǎn)品電源電路,除此之外 不有占空比調(diào)制(PWM)型的電源開(kāi)關(guān)型電源電路等。因技術(shù)進(jìn)步,集成電路集成ic內(nèi)數(shù)字電路設(shè)計(jì)的物理學(xué)規(guī)格加小,因此工作中開(kāi)關(guān)電源向低壓發(fā)展趨勢(shì),一系列新式電壓調(diào)整器應(yīng)用 為之。電源管理用通信接口關(guān)鍵有插口驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、輸出功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器及其高電壓/大工作電流的表明驅(qū)動(dòng)器這些。
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電源管理
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電源管理分立式半導(dǎo)體器件則包括一些傳統(tǒng)式的輸出功率半導(dǎo)體器件,可將它分成兩類,一類包括電子整流器和可控硅;另一類是三管型,包括輸出功率雙正負(fù)電子管,帶有MOS構(gòu)造的輸出功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣層?xùn)烹p型電子管(IGBT)等。
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在某種意義上而言,恰好是由于電源管理IC的很多發(fā)展趨勢(shì),功率半導(dǎo)體才改名為電源管理半導(dǎo)體材料。也是由于這么多的集成電路(IC)進(jìn)到開(kāi)關(guān)電源行業(yè),大家才較多地以電源管理來(lái)稱謂目前的電子電源。
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電源管理半導(dǎo)體材料本里的**一部分是電源管理IC,大概可概括為以下8種。
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1、AC/DC調(diào)制IC。含有低壓控制回路及高壓斷路器電子管。
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2、DC/DC調(diào)制IC。包括變壓/降血壓控制器,及其電荷泵。
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3、功率因素操縱PFC預(yù)調(diào)制 IC。給予具備功率因數(shù)校正作用的開(kāi)關(guān)電源鍵入電源電路。
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4、單脈沖調(diào)制或脈幅調(diào)制PWM/ PFM操縱IC。為單脈沖頻率調(diào)制和/或脈沖寬度調(diào)制控制板,用以推動(dòng)外界電源開(kāi)關(guān)。
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5、線形調(diào)制IC(如線性低電壓降穩(wěn)壓電源LDO等)。包括正方向和負(fù)性控制器,及其低電壓降LDO調(diào)制管。
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6、蓄電池充電和管理方法IC。包括蓄電池充電、維護(hù)及電量百分比IC,及其可開(kāi)展充電電池?cái)?shù)據(jù)通信“智能化”充電電池 IC。
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7、熱插座操縱IC(免去從工作中設(shè)計(jì)中插進(jìn)或拔掉另一插口的危害)。
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8、MOSFET或IGBT的電源開(kāi)關(guān)作用ic。
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在這種電源管理IC中,工作電壓調(diào)整IC是發(fā)展趨勢(shì)快、生產(chǎn)量高的一部分。各種各樣電源管理IC通常和一些相應(yīng)的使用相聯(lián)絡(luò),因此對(duì)于不一樣運(yùn)用,還能夠列舉大量種類的元器件。
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電源管理的新技術(shù)主要是率、功耗低、智能化系統(tǒng)。
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提升效率涉及到2個(gè)不一樣領(lǐng)域的內(nèi)容:一方面要想維持熱傳遞的綜合性率,與此同時(shí)還可能減少機(jī)器設(shè)備的規(guī)格;另一方面是維護(hù)規(guī)格不會(huì)改變,大幅度提率。
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在溝通交流/直流電(AC/DC)轉(zhuǎn)換中,低的通態(tài)電阻器,合乎電子計(jì)算機(jī)和電信網(wǎng)運(yùn)用中為率電源適配器和開(kāi)關(guān)電源的必須。在電路設(shè)計(jì)方案層面,一般休眠耗能早已降至 1W下列,并可將電源效率提升至90%以上。要進(jìn)一步減少目前休眠耗能,則必須有新的IC生產(chǎn)制造生產(chǎn)工藝及在功耗低電路原理層面的提升。
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詞條
詞條說(shuō)明
“模擬芯片”與“數(shù)字芯片”的區(qū)別?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,名詞非常多。這幾天遇到了“模擬芯片”與“數(shù)字芯片”兩個(gè)概念,該如何去理解呢?1.模擬芯片主要指電源管理芯片和信號(hào)鏈芯片,主要應(yīng)用于電源模塊中。電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測(cè)及其他電能管理的職責(zé)芯片。主要分為交流-直流轉(zhuǎn)換、直流和直流電壓轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)器、交流與直流穩(wěn)壓電源。如目前手機(jī)快充充電器中**部件就是模擬芯片。信號(hào)
CR6332 芯片特性:● CR6332 內(nèi)置 600V 高壓功率 MOSFET,反激式原邊檢測(cè) PWM 功率開(kāi)關(guān);● 內(nèi)置軟啟動(dòng),減小 MOSFET 的應(yīng)力,內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路;● 較低的 IC 功耗;● 具有頻率抖動(dòng)功能,使其具有良好的 EMI 特性;● 具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP 自動(dòng)恢復(fù)、OVP 鎖存”等多種保護(hù)功能;● 原邊反饋,*光耦和 TL431,可調(diào)式線損補(bǔ)償,IC 基準(zhǔn)
啟達(dá)內(nèi)置高壓功率開(kāi)關(guān)MOSFET芯片CR5268
啟達(dá)內(nèi)置高壓功率開(kāi)關(guān)MOSFET芯片CR5268拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):副邊大功率:≤36W內(nèi)置類型: MOS功率管:內(nèi)置功率管耐壓: 650V封裝: SOP-8L/DIP-8L/DIP-7LCR5268主要特點(diǎn):●內(nèi)置軟啟動(dòng),以減小MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)力●頻率抖動(dòng)和軟件驅(qū)動(dòng)技術(shù)以達(dá)到好的EMI性能●內(nèi)置軟啟動(dòng),以減小MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)力,系統(tǒng)無(wú)音頻噪音●能效滿足DOEVI和CoCV5_ T2要求CR5268基本
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