VPD-ICP-MS/MS晶圓表面粗糙度分析

時(shí)間：2023-06-06作者：英格爾檢測(cè)技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司瀏覽：48

縱橫交錯(cuò)的電子“森林”為人們提供了便捷且發(fā)達(dá)的聯(lián)絡(luò)環(huán)境，而半導(dǎo)體芯片是該運(yùn)轉(zhuǎn)體系的靈魂所在。晶圓的生長(zhǎng)居然從一粒沙開始，制備工藝又是什么？半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中VPD晶圓檢測(cè)作用十分強(qiáng)大，英格爾檢測(cè)*將從晶圓的生長(zhǎng)與制備開始科普。

首先VPD英格爾晶圓分析*闡述，含硅的沙子轉(zhuǎn)變成半導(dǎo)體級(jí)硅的制備條件十分復(fù)雜，需要從沙轉(zhuǎn)變成晶圓與晶體，包括了制造操作晶圓的不同類型的描述。

20世紀(jì)60年代開始使用的1英寸直徑的晶圓。在21世紀(jì)前期業(yè)界轉(zhuǎn)向300mm（12英寸）直徑的晶圓而現(xiàn)在正轉(zhuǎn)向450mm（18英寸）領(lǐng)域。這其中包括了用于生長(zhǎng)450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。

英格爾研究*稱，較大直徑的晶圓是由不斷降低芯片成本的要求驅(qū)動(dòng)的。這對(duì)晶體制備的挑戰(zhàn)是巨大的。在晶體生長(zhǎng)中，晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的一致性及污染問題是一個(gè)挑戰(zhàn)。在晶圓制備、平坦性、直徑控制和晶體完整性方面都是問題。較大直徑意味著較大的質(zhì)量，這就需要較堅(jiān)固的工藝設(shè)備，并較終完全自動(dòng)化。

一個(gè)450mm的晶圓質(zhì)量約800kg，長(zhǎng)210cm。這些挑戰(zhàn)和幾乎每一個(gè)參數(shù)較高的工藝規(guī)格要求共存。與挑戰(zhàn)并進(jìn)和提供較大直徑晶圓是芯片制造不斷進(jìn)步的關(guān)鍵。然而，轉(zhuǎn)向較大直徑的晶圓是昂貴和費(fèi)時(shí)的。因此，隨著產(chǎn)業(yè)進(jìn)入較大直徑的晶圓，一些公司仍在使用較小直徑的晶圓，英格爾VPD晶圓表面分析機(jī)構(gòu)成為關(guān)鍵一環(huán)。

英格爾精準(zhǔn)*解釋制造集成電路級(jí)硅晶圓分4個(gè)階段進(jìn)行：

1. 礦石到高純度氣體的轉(zhuǎn)變；

2. 氣體到多晶的轉(zhuǎn)變；

3. 多晶到單晶、摻雜晶棒的轉(zhuǎn)變；

4. 晶棒到晶圓的制備。

VPD晶圓表面分析技術(shù)可**半導(dǎo)體器件的質(zhì)量與合格率，半導(dǎo)體材料通常由硅組成。英格爾檢測(cè)將針對(duì)VPD晶圓進(jìn)行雜質(zhì)檢測(cè)、電阻率水平檢測(cè)、晶體結(jié)構(gòu)檢測(cè)及光學(xué)的平面與清潔度檢測(cè)等更多VPD晶圓表面污染檢測(cè)項(xiàng)目。英格爾檢測(cè)機(jī)構(gòu)可為企業(yè)提供一站式VPD晶圓表面精準(zhǔn)檢測(cè)項(xiàng)目，詳情可點(diǎn)擊英格爾官網(wǎng)進(jìn)行咨詢。


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• 詞條

  詞條說明

• VPD-ICP-MS晶圓表面分析

  VPD晶圓表面分析技術(shù)可以檢測(cè)出任何晶片上可能存在的污染微粒，英格爾第三方實(shí)驗(yàn)室可以提供致命性污染源及其他器件缺陷檢測(cè)。英格爾分析實(shí)驗(yàn)室將根據(jù)半導(dǎo)體分析技術(shù)確定良品率與污染相關(guān)性，幫助硅片企業(yè)完善產(chǎn)品體系與商業(yè)戰(zhàn)備力。英格爾檢測(cè)分析實(shí)驗(yàn)室一直以助力增強(qiáng)未來芯片技術(shù)為目的，**企業(yè)產(chǎn)業(yè)性能提高競(jìng)爭(zhēng)力。英格爾實(shí)驗(yàn)室*解釋：為例的大小必須是**層金屬半個(gè)節(jié)距的一半。半個(gè)節(jié)距是相鄰金屬條之間間距的一半。

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