閃存晶片降級晶片國內(nèi)回收

時(shí)間：2023-07-18作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：40

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降級晶片




降級晶片

使用外加電阻的驅(qū)動：步進(jìn)電機(jī)的繞組使用粗導(dǎo)線時(shí)，線圈電阻Rw值很小，如下圖所示。在各相線圈中，串聯(lián)外部電阻R，為的是限制繞組流過的電流小于額定電流I。限制繞組流過電流的方法，可采用降低電源電壓和串聯(lián)外部電阻R的兩種方法。假設(shè)步進(jìn)電機(jī)的線圈電感為L，繞組電阻為Rw電氣時(shí)間常數(shù)為τ，外加電阻R時(shí)，電氣時(shí)間常數(shù)公式如下：外加電阻使時(shí)間常數(shù)τ變小，電流上升比較快，從而使步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動脈沖頻率變快，上圖所示為無外部電阻與帶外部電阻R的電流上升曲線的比較，t1時(shí)刻，沒有電阻R時(shí)，電流只上升到I1，有電阻R時(shí)，電流上升到I2，使高速時(shí)的轉(zhuǎn)矩得到很大的改善；缺點(diǎn)是銅耗增大。
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