存儲晶片下線晶片大批量求購

時間：2023-04-19作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：40

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下線晶片




下線晶片

任何電磁干擾的發(fā)生都必然存在干擾能量的傳輸和傳輸途徑。通常認(rèn)為電磁干擾傳輸有兩種方式：一種是傳導(dǎo)傳輸方式；另一種是輻射傳輸方式，電子設(shè)備工作頻率越來越高，不加時，可能會通過上述路徑干擾到其它電子設(shè)備的正常運行，這是我不希望的。在電路設(shè)計時都會加入EMI的元件來開對外和外面對自身設(shè)備的干擾，我們以下面這個電路為例圖中L2為共模電感，共模電感的作用可根據(jù)右手定則來權(quán)釋。當(dāng)開關(guān)電源的頻率為100K時，假設(shè)它們在50~150K時有較高的EMI**值（這個是需要設(shè)備實際來調(diào)整的），假設(shè)的他的截止頻率fo為150KHz，配套的電容CY=CY3=CY4=222PF，共模電感值根據(jù)公式可以得出：共模電感與電容構(gòu)成的EMI電路，在開關(guān)電源中都基本上大同小異，根據(jù)實際的開關(guān)頻率與EMI效果作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。
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