詞條
詞條說(shuō)明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
熔斷器供應(yīng)商(m.qiwodz.b2b168.com)1.熔斷器類(lèi)型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類(lèi)型的熔斷器。例如,對(duì)于容量較小的照明電路,可選用RT系列圓筒帽型熔斷器;相對(duì)于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方,應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器;在機(jī)床控制電路中,多選用RL系列螺旋式熔斷器;用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護(hù)時(shí),應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定
1、保護(hù)方式不同熔斷器的保護(hù)方式是采用了熔斷形式,而當(dāng)排除了故障現(xiàn)象之后是需要重新對(duì)它更換熔體才可以恢復(fù)供電,因此來(lái)講在維護(hù)時(shí)比較不太方便。斷路器的保護(hù)方式是采用了跳閘形式,在排除故障以后只需要通過(guò)合閘動(dòng)作就能恢復(fù)正常供電,所以在維護(hù)和恢復(fù)上來(lái)講會(huì)比熔斷器方便許多。2、動(dòng)作速度不同熔斷器的熔斷動(dòng)作速度是可以達(dá)到微秒(μs)等級(jí),也就是說(shuō)它的速度相比較斷路器來(lái)講要快上很多,這種能力通常比較適用于有類(lèi)
? ? ?熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開(kāi);運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中,作為短路和過(guò)電流的保護(hù)器,是應(yīng)用最普遍的保護(hù)器件之一。工作原理利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中,
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