掃描電鏡(Scanning ElectronMicroscope;SEM)是介于透射電鏡和光學顯微鏡之間的一種微觀性貌觀察手段,可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進行微觀成像。掃描電鏡的優(yōu)點是,有較高的放大倍數(shù),20-20萬倍之間連續(xù)可調(diào);有很大的景深,視野大,成像富有立體感,可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細微結(jié)構(gòu);試樣制備簡單。目前的掃描電鏡都配有X射線能譜儀裝置,這樣可以同時進行顯微組織性貌的觀察和微區(qū)成分分析,因此它是當今十分有用的科學研究儀器。
原理
高能的入射電子轟擊物質(zhì)表面時,被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生二次電子、俄歇電子、特征x射線和連續(xù)譜X
射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射.
儀器技術(shù)參數(shù)
分辨率: 30 kV,3.0 nm(高真空模式),背散射電子分辨率30 kV,4.0 nm(高真空模式).放大倍率:×5
-×300,000.加速電壓0.3 - 30 Kv.
送樣要求
粉狀樣品1-5g之間,能把3-5mm直接樣品填滿即可。塊狀樣品不能大于5mm寬,高度小于5mm.
應(yīng)用領(lǐng)域
材料,粉體,礦物粒徑大小,表面斷面形貌分析,填料分散狀態(tài)復(fù)合材料結(jié)構(gòu),材料晶型分析晶粒大
小,材料物相分析。元素定性分析。
適用標準
GB/T 16594-2008微米級長度的掃描電鏡測量方法通則
GB/T 17362-2008黃金制品的掃描電鏡X射線能譜分析方法
詞條
詞條說明
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