led**爐

    ■ LED**點(diǎn)  
    ◆ 關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件,具有高可靠性
    ◆ 具有可編程的升、降溫功能        
    ◆ 具有斷電報(bào)警、**溫報(bào)警、極限**溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能。
    ◆ 具有高抗干擾能力
    ◆ 具有多種工藝管路,可供用戶(hù)隨意靈活配置  
      賽瑞達(dá)可為您提供斜滾式推拉舟系統(tǒng),石英雙桿推拉舟系統(tǒng)

        及SiC漿推拉舟系統(tǒng)。
     
         
    ■ 主要技術(shù)參數(shù)
    ◆ 可配工藝管數(shù)量:1~4管/臺(tái)                                

    ◆工作溫度范圍:200~1000℃

    ◆ 恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度:300~800mm    800~1000℃±0.5℃

    ◆單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性:800~1000℃±0.5℃/24h

    ◆ 較大可控升溫速度:15℃min;  

    ◆ 較大降溫速度:15℃min

    青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司專(zhuān)注于鏈?zhǔn)綘t排,全自動(dòng)擴(kuò)散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • LPCVD設(shè)備

    LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量,使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn),成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問(wèn)題,提

  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

    ? 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100~600oC可調(diào)),特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化,用以提高器件和集成電路可靠性。目前,它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點(diǎn): 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(jī)(易漏大氣而

  • led**爐

    ■ LED**爐特點(diǎn)?? ◆ 關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件,具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報(bào)警、**溫報(bào)警、極限**溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路,可供用戶(hù)隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達(dá)可

  • 立式真空爐

    空爐(vacuum furnace)是真空環(huán)境中進(jìn)行加熱的設(shè)備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統(tǒng)聯(lián)接。爐膛真空度可達(dá)133×(10-2~10-4)h。爐內(nèi)加熱系統(tǒng)可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱,也可用高頻感應(yīng)加熱。較高溫度可達(dá)3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊,以及陶瓷-金屬封接等。 目 錄 1概述 2構(gòu)造 3原理 4功能 5

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