LPCVD設(shè)備

時間：2014-10-22作者：青島福潤德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：59

LPCVD設(shè)備維修及應用

低壓化學氣相淀積設(shè)備使用與維護技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問題，提出解決辦法。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好，缺陷密度低，臺階覆蓋性好等優(yōu)點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。淀積時，硅片垂直放人反應器中，間隙緊湊，大大提高了設(shè)備的加工能力，有利于降低生產(chǎn)成本，與水平放置硅片的系統(tǒng)相比，避免了反應器掉落微粒的沾污。 熱壁LPCVD技術(shù)有如下特點: 淀積溫度低、均勻性好，能很好地控制其組分，并有良好的臺階覆蓋性、可控性和重復性好，成本低、成品率高、適合大批量生產(chǎn)，且淀積薄膜不受襯底的影響。


青島福潤德微電子設(shè)備有限公司專注于鏈式爐排,全自動擴散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

• 詞條

  詞條說明

• （單管程序氧化爐）

  ?單管氧化爐技術(shù)方案 ? ????????????? （單管程序氧化爐） ? ?????????????&n

• led**爐

  ■ LED**爐特點?? ◆ 關(guān)鍵件全部采用進口件，具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報警、**溫報警、極限**溫報警等多種安全保護功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路，可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達可

• 等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

  ? 等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD（等離子增強化學氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機（易漏大氣而

• 石英領(lǐng)

  ?石英軟領(lǐng)為進口石英纖維棉采用德國加工工藝制成，用于擴散爐和PECVD設(shè)備中爐體和石英管之間的隔熱保溫，解決了以往用保溫棉存在的兩大問題：一是保溫棉長時間在高溫下出現(xiàn)粉化脫落從而影響工作腔體潔凈度，二是手動堵塞保溫棉不均勻，影響工作區(qū)溫度穩(wěn)定性和均勻性。本產(chǎn)品可長期使用在高溫下，不粉化，不變形，不硬化，不氧化，防震，防腐蝕。