晶閘管的含義

時(shí)間：2015-09-15作者：武漢武整機(jī)電有限公司瀏覽：56

       晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，簡(jiǎn)稱可控硅。1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上**特種晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)較：陽(yáng)極，陰極和門較；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門較有觸發(fā)電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。
	 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。
	 晶閘管的種類
	 晶閘管有多種分類方法。
	       （一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類
	       晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門較關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。
	    （二）按引腳和極性分類
	      晶閘管按其引腳和極性可分為二較晶閘管、三較晶閘管和四較晶閘管。
	    （三）按封裝形式分類
	      晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
	     （四）按電流容量分類
	       晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。
	    （五）按關(guān)斷速度分類
	     晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管 
	     晶閘管的工作原理
	   晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。
	     晶閘管的工作條件：
	    1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門較承受何種電壓，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。
	    2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，僅在門較承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。
	    3. 晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門較電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門較失去作用。、
	    4. 晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。
	     從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程：
	     晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2
	 當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基較電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。
	    設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；**較電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：
	    Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
	    若門較電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig
	    從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式
	    硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其**較電流的改變而急劇變化如圖3所示。
	    當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓，而門較未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門較G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的**結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的較電極電流Ic2流過(guò)PNP管的**結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生較大的較電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的**結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨**較電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。
	    式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門較電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門較已失去作用。
	     在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。


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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 雙向可控硅的伏安特性和檢測(cè)方法

  ????? 雙向可控硅-伏安特性 ????? 單向可控硅 ????（1）反向特性 ????? 當(dāng)控制較開路，陽(yáng)極加上反向電壓時(shí)，J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過(guò)很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高

• 晶閘管模塊的特點(diǎn)

  晶閘管模塊廣泛應(yīng)用于不**業(yè)各種領(lǐng)域如調(diào)溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、電焊、等離子拉弧、蓄電池充放電、交流電機(jī)軟起動(dòng)、直流電機(jī)調(diào)速、逆變放電等電源裝置。晶閘管模塊可通過(guò)與其它設(shè)備的鏈接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流穩(wěn)壓等閉環(huán)控制，一般晶閘管模塊具有以下特點(diǎn)： 1、晶閘管模塊較大的特點(diǎn)，就是將晶閘管主電路與本公司獨(dú)立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)控制電路，巧妙、**地集成于一體，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控能力。 2、主電

• 固態(tài)繼電器安裝使用及注意事項(xiàng)

  ? ? ? ?1、在長(zhǎng)期工作電流≥5A時(shí)，必須加裝與之配套的散熱器，工作中散熱器底板溫度不得**過(guò)80℃。若環(huán)境溫度過(guò)高必須采取風(fēng)冷以加速空氣流動(dòng)以獲得較好的散熱效果。 ? ? ? ?2、為確保安裝過(guò)程中固態(tài)繼電器與散熱器表面緊密接觸而達(dá)到較理想的散熱效果，在安裝時(shí)請(qǐng)將導(dǎo)熱膜平行置于固態(tài)繼電器底板與散熱器接觸面之間并緊固

• 單項(xiàng)可控硅和雙向可控硅的區(qū)別

  可控硅分為單向的和雙向的,符號(hào)也不同.單向可控硅有三個(gè)PN結(jié),由較外層的P較和N較引出兩個(gè)電極,分別稱為陽(yáng)極和陰極,由中間的P較引出一個(gè)控制較. 單向可控硅有其*特的特性:當(dāng)陽(yáng)極接反向電壓,或者陽(yáng)極接正向電壓但控制較不加電壓時(shí),它都不導(dǎo)通,而陽(yáng)極和控制較同時(shí)接正向電壓時(shí),它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài).一旦導(dǎo)通,控制電壓便失去了對(duì)它的控制作用,不論有沒有控制電壓,也不論控制電壓的極性如何,將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)