PN8680M低功耗電源芯片是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8680M工作在原邊檢測和調(diào)整模式,可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。PN8680M低功耗電源芯片擁有恒壓恒流控制環(huán)路,可以實(shí)現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出,以滿足大部分充電器和適配器需求。驪微電子12V開關(guān)控制芯片PN8680M內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路和較低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)。
1. 高壓啟動(dòng)控制:PN8680M低功耗電源芯片在啟動(dòng)階段,采用高壓啟動(dòng)技術(shù),芯片啟動(dòng)前2.0mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電,快速啟動(dòng)。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon,芯片開始工作的同時(shí)高壓啟動(dòng)電路關(guān)斷;只要VDD電壓不**VDDoff,芯片維持正常工作。啟動(dòng)后,偏置電路通過輔助源供電,同時(shí)啟動(dòng)電路只有一路較小的電流,實(shí)現(xiàn)低損耗。
2. CC 工作模式:在CC工作狀態(tài),高效率電源芯片PN8680M采樣FB引腳的信號(由輔助繞組信號通過電阻分壓),輔助繞組信號脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高,脈寬越小,同時(shí)振蕩頻率越高,這樣可獲得恒定的輸出電流。
3. CV 工作模式:在CV工作狀態(tài),高效率電源芯片PN8680M使用脈沖采樣VFB電壓,并保持到下個(gè)采樣點(diǎn)。將采樣的電壓和VREF_CV基準(zhǔn)比較,并放大誤差。這個(gè)誤差值代表負(fù)載情況,通過控制開關(guān)信號,調(diào)節(jié)輸出電壓,使得輸出恒定。
4. 電流檢測和*消隱:PN8680M低功耗電源芯片提供逐周期電流檢測功能。芯片通過CS引腳的電阻檢測功率管電流,CC模式設(shè)置點(diǎn)和輸出功率都通過外部調(diào)整CS引腳上的電阻實(shí)現(xiàn)。功率管開通瞬間會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓,內(nèi)部*消隱電路可防止誤觸發(fā)而不需要額外的RC濾波電路。
5. 可編程線纜補(bǔ)償功能:線纜補(bǔ)償模塊通過FB引腳輸出一路補(bǔ)償電流,流入分壓電阻,如圖3所示,改變電壓反饋值,可以使輸出線損壓降得到補(bǔ)償。當(dāng)負(fù)載從滿載減小到空載時(shí),線損壓降也同樣減小。PN8680M低功耗電源芯片通過設(shè)置FB電阻的阻值可以調(diào)整線補(bǔ)償?shù)姆取?/span>
6. 基準(zhǔn)負(fù)溫度補(bǔ)償:高效率電源芯片PN8680M的VREF_CV電壓基準(zhǔn)采用負(fù)溫度補(bǔ)償技術(shù),常溫下,VREF_CV電壓基準(zhǔn)為2.5V;芯片溫度上升時(shí),VREF_CV電壓基準(zhǔn)值隨著溫度上升而變小,可以使△V隨著溫度上升而變小得到補(bǔ)償,讓輸出電壓Vo在全溫度范圍內(nèi)恒定,提高了恒壓輸出精度。
7. 保護(hù)控制:PN8680M低功耗電源芯片含有豐富的保護(hù)功能,包括:逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)、CS電阻開/短路保護(hù)、VDD欠壓鎖定保護(hù)功能,并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。
PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成**低待機(jī)功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,可省略光耦和TL431,常用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源,如果需要PN8680M高效率低功耗電源芯片PN8680M產(chǎn)品的詳細(xì)手冊或其他資料,請向驪微電子申請。>>
詞條
詞條說明
PN8160 內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源,該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括周期式過流保護(hù),過載保護(hù),軟啟動(dòng)功能。通知QR+CCM,ECO-mode,Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了**低的待機(jī)功耗,全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的E
PN8386產(chǎn)品描述:PN8386集成**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較
PN8149**低待機(jī)功耗交直流轉(zhuǎn)換芯片, 非常適合六級能效Level6、Eur2.0能源之星應(yīng)用。PN8147,PN8149部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括周期式過流保護(hù)(外部可調(diào))、過載保護(hù)、過壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode
高集成18W PD快充充電器方案批量出貨:數(shù)十款產(chǎn)品爭相采用
隨著USB PD快充市場興起,消費(fèi)類電子較新迭代速度加快,18W PD快充*便成為了目前市面上能見度較高的快充電源產(chǎn)品之一,本土電源芯片公司芯朋也看準(zhǔn)了這一市場需求,推出了18W PD快充高集成度解決方案,投入市場僅一年左右時(shí)間,**了不錯(cuò)的市場成績。?原邊芯片PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯(lián)系人: 易善波
電 話: 13808858392
手 機(jī): 13808858392
微 信: 13808858392
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
郵 編:
網(wǎng) 址: tangyinju.cn.b2b168.com
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯(lián)系人: 易善波
手 機(jī): 13808858392
電 話: 13808858392
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
郵 編:
網(wǎng) 址: tangyinju.cn.b2b168.com