場(chǎng)效應(yīng)管和復(fù)合晶體管分類與介紹

    場(chǎng)效應(yīng)管和復(fù)合晶體管是什么概念

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)5**0F 是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。三管稱電流控制元件;場(chǎng)效應(yīng)管稱電壓控制元件。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高(高可達(dá)1015Ω)、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。復(fù)合晶體管是指把幾個(gè)晶體管或電阻器連接起來而構(gòu)成具有一定功能的集成器件。常用的復(fù)合晶體管有達(dá)林頓管、絕緣柵雙晶閘管(IGBT)和帶阻三管等。


    場(chǎng)效應(yīng)管的分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因有柵(閘)與其他電絕緣而得名。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管除有N溝道和P溝道之分外,還有增強(qiáng)型和耗盡型之分。

    目前在場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用為廣泛的是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS管或MOSFET。此外,還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管及VMOS功率模塊等。P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理與N溝道場(chǎng)效應(yīng)管相同,只不過導(dǎo)電的載流子不同,供電電壓性不同,這如同雙性三管有NPN型和PNP型一樣,對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏和源可以互換。


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