供應 FDV301N 絲印301 SOT-23 N溝道 25V/220mA 貼片MOSFET 全新原裝

時間：2021-11-16作者：深圳市云創(chuàng)達科技有限公司瀏覽：231

 一般說明
       這種n通道邏輯級增強模式場效應晶體管是使用仙童的專有的，高電池密度，DMOS技術生產的。這種非常高密度的過程是特別適合于較小化狀態(tài)電阻。該裝置已被特別設計用于低壓應用，作為數字晶體管的替代品。由于不需要偏置電阻，這種n通道場效應晶體管可以用不同的偏置電阻值代替幾個不同的數字晶體管。
      
特征
      25V，0.22A連續(xù)，0.5A峰值。
      RDS(ON)=5W@VGS=2.7V
      RDS(ON)=4W@VGS=4.5V.
 較低水平的門驅動要求，允許在3V電路中直接運行。VGS(th)<1.06V.
門源齊納為ESD堅固性。>6.kV人體模型
用一個DMOS場效應晶體管替換多個NPN數字晶體管。


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• 詞條

  詞條說明

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