供應(yīng)原裝** STP24**0DM2 封裝TO-220 600V24A MOS場效應(yīng)管

    描述
           這些FDmeshII+?低Qg功率MOSFETs與固有的快速恢復(fù)體二極管生產(chǎn)使用新一代的MDmesh?技術(shù):MDmeshII+?低Qg。這些革命性的電力模塊將垂直結(jié)構(gòu)與公司的帶布局聯(lián)系在一起,產(chǎn)生世界上較低電阻和門電荷之一。因此,它們適用于要求較高的高效轉(zhuǎn)換器,以及理想的橋接拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器。
    
    n-通道600V,0.175Ωtyp.,18AFDmeshII+?低Qg功率MOSFETs在D2PAK,TO-220和TO-247軟件包
    
    ?較低的柵較電荷和輸入
    
    電容
    
    ?與上一代相比,RDS(on)x區(qū)域較低
    
    ?低柵較輸入電阻
    
    ?**雪崩測試
    
    ?齊納保護
    
    ?較高的dv/dt和雪崩
    
    能力
    
    應(yīng)用
    
    ?交換應(yīng)用

    深圳市云創(chuàng)達科技有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類等

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    詞條說明

  • SMDC260F/16-2 2.6A 保護電流 5A 16 1812 貼片自恢復(fù)保險絲 FUSE

    為了減少表面測量設(shè)備的尺寸和成本,利特福斯多開關(guān)團隊在1995年推出了miniSMD產(chǎn)品系列。隨后,我們開發(fā)了microSMD、nanoSMD、picoSMD和femtoSMD系列產(chǎn)品。femtoSMD系列將設(shè)備尺寸縮小到1608mm(0603英里)的足跡,這是流行的miniSMD系列的十二分之一的尺寸。 較近增加的PolySwitch表面安裝系列包括1.1ApicoSMD1210mm(0805英

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    描述 該設(shè)備包含一個2輸入或非門,執(zhí)行布爾函數(shù)Y=a×B或Y=a+Bin正邏輯。SN74AHCT1G125是一種低驅(qū)動CMOS設(shè)備,可用于許多涉及輸出振鈴的許多總線接口類型應(yīng)用。低驅(qū)動和慢邊緣速率將盡量減少輸出的**調(diào)和欠調(diào)。輸入可以接受任何有效VCC下5.5V的電壓,使其理想的下轉(zhuǎn)換。 該設(shè)備采用CMOS技術(shù),并具有平衡的輸出驅(qū)動器。應(yīng)注意避免總線競爭,因為它可以驅(qū)動**過較大限制的電流。高驅(qū)動器也

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