詞條
詞條說明
公司主營原裝進(jìn)口電子元器件:1、艾賽斯/IXYS、英飛凌/Infineon、三社/SANREX 、西門康/Semikron、富士/Fuji全系列IGBT產(chǎn)品;2、富士/Fuji、三菱/Mitsubishi、英飛凌/Infineon、西門康/Semikron、仙童、ABB、三社/SANREX、美國IR、艾賽斯/IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品;3、CONCEPT、IDC驅(qū)動片及驅(qū)動板;4、巴斯曼/
1、根據(jù)線路要求和安裝條件選擇熔斷器的型號。容量小的電路選擇半封閉式或無填料封閉式;短路電流大的選擇有填料封閉式;半導(dǎo)體元件保護(hù)選擇快速熔斷器。2、根據(jù)負(fù)載特性選擇熔斷器的額定電流。3、選擇各級熔體需相互配合,后一級要比**級小,總閘和各分支線路上電流不一樣,選擇熔絲也不一樣。4、根據(jù)線路電壓選擇熔斷器的額定電壓。5、交流異步電機(jī)保護(hù)熔體電流不能選擇太?。ńㄗh2~2.5倍電機(jī)的額定電流)。如選擇過
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇,熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)兩類。低熔點(diǎn)材料如鉛和鉛合金,其熔點(diǎn)低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸較大,熔斷時產(chǎn)生的金屬蒸氣較多,只適用于低分?jǐn)嗄?/p>
1、正向性外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。2、反向性外加反向電壓不**過一定范圍時,通過二較
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
電 話: 021-51096998
手 機(jī): 18221423398
微 信: 18221423398
地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層
郵 編:
網(wǎng) 址: yygydn123.cn.b2b168.com
功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一件也是批發(fā)價|FZ400R17KE3 400A
?IGBT-Module|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1200R16KF4 1200A
Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A
功率半導(dǎo)體igbt|一件也是批發(fā)價|FZ2400R17KE3 2400A
IGBT驅(qū)動電路|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1800R17KE3_B2 1800A
英飛凌igbt單管|貨源穩(wěn)定|FZ800R16KF4 800A
大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A
功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
手 機(jī): 18221423398
電 話: 021-51096998
地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層
郵 編:
網(wǎng) 址: yygydn123.cn.b2b168.com