工件滲碳爐用碳化硅磚表面疏松粉化的原因


    滲碳是指使碳原子滲入到工件表面層的過(guò)程,氣體滲碳是將工件裝入密閉的滲碳爐內(nèi),通入氣體滲劑(甲烷、乙烷等)或液體滲劑酒精、丙酮等,在高溫下分解出活性碳原子,滲入工件表面,以獲得高碳表面層的一種滲碳操作工藝。螺母滲碳技術(shù)是一種常見的熱處理工藝,特別是在重壓、沖擊、腐蝕等情況下具有良好的力學(xué)性能,通過(guò)表面滲碳技術(shù)可有效提高螺母耐腐蝕性、抗氧化性和接觸疲勞強(qiáng)度。


    螺母滲碳爐該生產(chǎn)線長(zhǎng)期工作溫度為930℃,采用甲醇?xì)夥諡檩d氣,丙酮為富化氣的滲碳工藝。在氮甲醇?xì)夥罩袧B碳,零件表面清潔,表面碳濃度能夠較為理想的滲入表層組織中,有利于起到強(qiáng)化表面的作用。由于滲碳爐還原性氣氛下,采用傳統(tǒng)的高溫耐火纖維模塊為爐襯的結(jié)構(gòu)較易導(dǎo)致纖維高溫粉化,從而影響爐內(nèi)保溫性能。單純采用保溫磚砌爐襯可解決纖維高溫粉化問(wèn)題,但因保溫磚固有的蓄熱量大、熱導(dǎo)率高等缺點(diǎn)會(huì)使得加熱爐加熱功率過(guò)大,升溫時(shí)間較慢。為解決以上問(wèn)題,后選用抗?jié)B型碳化硅磚,在還原性氣氛環(huán)境中連續(xù)使用2年生產(chǎn)正常,但近期使用的碳化硅磚在使用過(guò)程中出現(xiàn)表面泛白情況,為此做進(jìn)一步分析。


    1:碳化硅磚被損毀的**方面


    滲碳爐為圓柱形截面爐膛,在爐膛兩側(cè)采用高溫輻射管對(duì)爐內(nèi)工件加熱,其較高工作溫度為930℃,在此滲碳?xì)夥罩?,爐內(nèi)主要發(fā)生以下反應(yīng):


    CH3OH→CO+2H2


    CH3COCH3+H2→CH3—CH—COOH|OH


    其中C和H2均具有強(qiáng)還原性,易導(dǎo)致碳化硅磚體內(nèi)鐵的氧化物被還原,產(chǎn)生Fe、Fe3C、C(碳黑)等新生物質(zhì)而使體積膨脹,從而引起砌體破壞,這也是使用碳化硅磚表面泛白的**個(gè)原因。


    2:碳化硅磚損毀的第二方面


    碳化硅磚的生產(chǎn)是選用Sic含量在90以上的碳化硅原料,外加結(jié)合劑通過(guò)高溫?zé)Y(jié)制成,具有較高的強(qiáng)度和導(dǎo)熱系數(shù),缺點(diǎn)是易氧化不易用在氧化氣氛下,雖然SiC的氧化產(chǎn)物,SiO2保護(hù)膜,可以阻止氧化的進(jìn)一步發(fā)生但是約在800℃—1140℃SiO2膜會(huì)因相變而產(chǎn)生體積變化,從而使其結(jié)構(gòu)變得疏松,氧化保護(hù)作用驟減:另外,在一定條件下,SiO2保護(hù)膜還無(wú)法形成。這都將導(dǎo)致碳化硅材料的使用性能降低,影響它的使用壽命。以現(xiàn)場(chǎng)損毀的碳化硅磚表面泛白的疏松結(jié)構(gòu)分析,可以確定為是在還原氣氛下的二次氧化,雖然滲碳爐的工作原理是還原氣氛,但是由上述觀點(diǎn)1可以總結(jié)出滲碳爐氣氛中的CO和H2均來(lái)自被分解的燃料中,從而與碳化硅磚的SiC發(fā)生二次反應(yīng)后形成SiO2呈氣體形式脫離碳化硅磚。以下為反應(yīng)式:


    SiC + 2CO→SiO2 + 3C


    如在足夠高的溫度下或較低的氧分壓下,SiC轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性的SiO2被環(huán)境腐蝕,這將導(dǎo)致碳化硅材料被快速氧化,即產(chǎn)生活性氧化。


    總結(jié):①為防止?fàn)t襯內(nèi) Fe、FeC、C(碳黑)等新生物質(zhì)的產(chǎn)生,在爐襯材料選擇中必須采用Fe0,含量很低、S含量也較少的抗?jié)B碳耐火材料。②在滲碳爐內(nèi)的工作氣氛下盡可能不用易氧化的碳化硅磚改用低導(dǎo)熱保溫性能好的產(chǎn)品,比如輕質(zhì)剛玉磚或者氧化鋁空心球磚。


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  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 滲碳爐

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