熔斷器又稱為保險(xiǎn)絲,是用于保護(hù)電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負(fù)載之間,電流過高時(shí)便會(huì)觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負(fù)載從電源中斷開,減低過流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險(xiǎn)。
燒斷了的保險(xiǎn)絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過保險(xiǎn)絲價(jià)格便宜,而且容易替換。新的保險(xiǎn)絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險(xiǎn)絲提供的安全機(jī)制使得它們成為各種應(yīng)用的的**助手。
常用的熔斷器:
(1)插入式熔斷器
它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。(2)螺旋式熔斷器
熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大,可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中,作短路保護(hù)。(3)封閉式熔斷器
封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷器兩種。有填料熔斷器一般用方形瓷管,內(nèi)裝石英砂及熔體,分?jǐn)嗄芰?qiáng),用于電壓等級(jí)500V以下、電流等級(jí)1KA以下的電路中。無填料密閉式熔斷器將熔體裝入密閉式圓筒中,分?jǐn)嗄芰ι孕。糜?00V以下,600A以下電力網(wǎng)或配電設(shè)備中。(4)快速熔斷器
它主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在較短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。(5)自復(fù)熔斷器
采用金屬鈉作熔體,在常溫下具有高電導(dǎo)率。當(dāng)電路發(fā)生短路故障時(shí),短路電流產(chǎn)生高溫使鈉迅速汽化,汽態(tài)鈉呈現(xiàn)高阻態(tài),從而限制了短路電流。當(dāng)短路電流消失后,溫度下降,金屬鈉恢復(fù)原來的良好導(dǎo)電性能。自復(fù)熔斷器只能限制短路電流,不能真正分?jǐn)嚯娐?。其?yōu)點(diǎn)是不必更換熔體,能重復(fù)使用。
工作時(shí),熔斷器串連在被保護(hù)的電路中。當(dāng)電路發(fā)生短路或嚴(yán)重過載時(shí),熔斷器中的熔斷體將自動(dòng)熔斷,起到保護(hù)作用,常見的就是保險(xiǎn)絲。詞條
詞條說明
二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件? 。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。?當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時(shí),二極管截止。?因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開 。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接,構(gòu)成
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測出二極管是否損壞。1.極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極,測出一個(gè)結(jié)果后,對(duì)調(diào)兩表筆,再測出一個(gè)結(jié)果。兩次測量的結(jié)果中,有一次測量出的阻值較大(為反向電阻),一次測量出的阻值較小(為正向電阻)。在阻值較小的一次測量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負(fù)極。2.單負(fù)導(dǎo)電性能
IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
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