【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

時間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：256

IGBT結(jié)構(gòu)




N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙較晶體管，起**較的作用，向漏較注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏較（即集電極C）。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵較電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基較電流，使IGBT導通。反之，加反向門較電壓消除溝道，切斷基較電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入較N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基較注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。





上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險絲,進口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 【二極管模塊】二極管的檢測方法

  小功率晶體二極管1.?判別正、負電極（1）觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。（2）觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負極。（3）以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。(d)觀察

• 【德國西門康可控硅】可控硅工作原理

  可控硅工作原理結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電

• 晶閘管的工作原理與應(yīng)用

  1 晶閘管(SCR)晶閘管簡稱晶閘管，又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個PN一種由結(jié)構(gòu)組成的大功率半導體設(shè)備。在性能方面，晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?，而且比硅整流元件具有較有**的可控性。它只有兩種狀態(tài)：導電和關(guān)閉。晶閘管有許多優(yōu)點，如：小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達數(shù)十萬倍；反應(yīng)快，微秒內(nèi)開關(guān)；無接觸操作，無火花，無噪音；效率高，成本低。因此，特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應(yīng)用于整流電

• 【德國西門康可控硅】可控硅特性

  可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未**過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒?*