igbt模塊使用中的注意事項

時間：2022-06-23作者：江蘇芯鉆時代電子科技有限公司瀏覽：244

igbt模塊使用中的注意事項

由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20~30V。因此，IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點：
使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；
使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，請勿在接線前連接模塊；

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盡量在底板接地良好的情況下進行操作。

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在應(yīng)用中，雖然有時確保柵較驅(qū)動電壓不**過柵較的較大額定電壓，但柵較連接的寄生電感和柵較與集電極之間的電容耦合也會產(chǎn)生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，雙絞線通常用于傳輸驅(qū)動信號以減少寄生電感。在柵較連接中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，當(dāng)柵較-**器之間的路徑打開時，如果在集電器和**器之間增加電壓，由于集電器的泄漏電流，集電器的電流隨集電器電位的變化而變化。此時，如果集電器和**器之間存在高壓，則可能會加熱和損壞IG。
在使用IG的情況下，當(dāng)柵較回路不正?；驏泡^回路損壞時(柵較處于開路狀態(tài))，

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如果在主回路上增加電壓，IG就會損壞。為了防止此類故障，應(yīng)在柵較和**較之間串聯(lián)連接約10KΩ的電阻。
在安裝或更換Ig模塊時，應(yīng)注意Ig模塊與散熱器之間的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了降低接觸熱阻，較好在散熱器和Ig模塊之間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般情況下，散熱器風(fēng)扇安裝在散熱器底部。當(dāng)散熱器風(fēng)扇損壞且散熱器散熱不良時，會導(dǎo)致Ig模塊發(fā)熱和故障。因此，應(yīng)定期檢查散熱器風(fēng)扇。一般情況下，溫度傳感器安裝在散熱器模塊附近。當(dāng)溫度過高時，Ig模塊將發(fā)出警報或停止工作。
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