可控硅模塊有何不同


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  • 詞條

    詞條說明

  • igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

    igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此,IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此,在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí),在觸摸之前,用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電;使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí),請勿在接線前連接模塊;igbt模塊

  • IGBT介紹

    ? ? ? IGBT是能源變換與傳輸?shù)?*器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用較廣。? ? ? IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙較型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器

  • 可控硅模塊有何不同

    可控硅模塊批發(fā)?可控硅模塊有何不同1、從產(chǎn)品性能的角度來看,昆二晶可控硅模塊已專注于電子元器件行業(yè)15年。經(jīng)過這么多年的技術(shù)沉淀,其產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入成熟期,性能穩(wěn)定,質(zhì)量有保場上許多昆二晶可控硅模塊在五六年前仍在正常使用。2、實(shí)力方面,昆二晶整流器擁有5000平方米的生產(chǎn)廠房,1萬平方米的建筑面積擁有專業(yè)的技術(shù)和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì),并獲得國家**企業(yè)稱號3、從材料的角度來看,昆二晶硅可控模塊采用(

  • 整流橋的作用

    ? ? ? ?整流橋通常帶有足夠大的電感性負(fù)載,因此整流橋不會出現(xiàn)電流斷續(xù)。整流橋負(fù)載端常接有平波電抗器,可將整流橋負(fù)載視為恒流源。整流橋的作用:1.可將交流發(fā)動機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姡詫?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電2.限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動機(jī),保護(hù)交流發(fā)動機(jī)不被燒壞。

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