EMI電磁干擾,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。對(duì)于傳導(dǎo)干擾,一般增加電源輸入電路中的EMC濾波器節(jié)數(shù),適當(dāng)調(diào)節(jié)下每節(jié)濾波器的參數(shù),基本上都能解決。另外再給大家分享8個(gè)解決傳導(dǎo)干擾的小技巧。
一、盡量減少每個(gè)回路的有效面積
當(dāng)電路存在數(shù)個(gè)回路電流,可將每個(gè)回路視為一個(gè)感應(yīng)線圈,或變壓器線圈的初、次級(jí)。當(dāng)某個(gè)回路中有電流流過時(shí),另外一個(gè)回路中就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),從而產(chǎn)生干擾。有效減少干擾的方法就是盡量減少每個(gè)回路的有效面積。
二、屏蔽、減小各電流回路面積及帶電導(dǎo)體的面積和長(zhǎng)度
圖中e1、e2、e3、e4為磁場(chǎng)對(duì)回路感應(yīng)產(chǎn)生的差模干擾信號(hào);e5、e6、e7、e8為磁場(chǎng)對(duì)地回路感應(yīng)產(chǎn)生的共模干擾信號(hào)。共模信號(hào)的一端是整個(gè)線路板,另一端是大地。
三、對(duì)變壓線進(jìn)行磁屏蔽、盡量減少每個(gè)電流回路的有效面積
線路板中的公共端不能算為接地,不要把公共端與外殼相接。除非機(jī)殼接大地,否則公共端與外殼相接,會(huì)增大輻射天線的有效面積,共模輻射干擾較為嚴(yán)重。
降低輻射干擾的方法,一個(gè)是屏蔽,另一個(gè)是減小各個(gè)電流回路的面積(磁場(chǎng)干擾),和帶電導(dǎo)體的面積及長(zhǎng)度(電場(chǎng)干擾)。
對(duì)變壓器進(jìn)行磁屏蔽、盡量減少每個(gè)電流回路的有效面積,圖中的電磁感應(yīng)干擾,較為嚴(yán)重的是變壓器漏感所產(chǎn)生。若將變壓器的漏感視為變壓器感應(yīng)線圈的初級(jí),則其它回路可視為是變壓器的次級(jí),所以在變壓器周圍的回路中,都會(huì)被感應(yīng)產(chǎn)生干擾信號(hào)。減少干擾的方法,一是對(duì)變壓器進(jìn)行磁屏蔽,二是盡量減少每個(gè)電流回路的有效面積。
四、用銅箔對(duì)變壓器進(jìn)行屏蔽
對(duì)變壓器屏蔽,主要是減小變壓器漏感磁通對(duì)周圍電路產(chǎn)生電磁感應(yīng)干擾,以及對(duì)外產(chǎn)生電磁輻射干擾。雖然非導(dǎo)磁材料對(duì)漏磁通起不到直接屏蔽作用的,但銅箔是良導(dǎo)體,交變漏磁通穿過銅箔的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生渦流,而渦流.產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向正好與漏磁通的方向相反,部分漏磁通可以被抵消,所以銅箔對(duì)磁通也可以起到很好的屏蔽作用。
五、采用雙線傳輸和阻抗匹配
圖中兩根相鄰的導(dǎo)線,如果電流大小相等,電流方向相反,則它們產(chǎn)生的磁力線可以互相抵消。對(duì)于干擾比較嚴(yán)重或比較容易被干擾的電路,盡量采用雙線傳輸信號(hào),不要利用公共地來傳輸信號(hào),公共地電流越小干擾越小。
當(dāng)導(dǎo)線的長(zhǎng)度等于或大于四分之一波長(zhǎng)時(shí),傳輸信號(hào)的線路一定要考慮阻抗匹配,不匹配的 傳輸線會(huì)產(chǎn)生駐波,并對(duì)周圍電路產(chǎn)生很強(qiáng)的輻射干擾。
六、減小電流回路的面積
圖中磁場(chǎng)輻射干擾主要是流過高頻電流回路產(chǎn)生的磁通竄到接收回路中所產(chǎn)生。因此要盡量減小流過高頻電流回路的面積和接收回路的面積。
e1、 Φ1、S1、B1分別為輻射電流回路中產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)、磁通、面積、磁通密度;e2、 Φ2、S2、B2分別為輻射電流回路中產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)、磁通、面積、磁通密度。
七、不要采用多個(gè)回路串聯(lián)供電
幾個(gè)電流回路互相串聯(lián)在一起進(jìn)行供電,容易產(chǎn)生電流共模干擾,特別是在高頻放大電路中,會(huì)產(chǎn)生高頻噪音。電流共模干擾的原因是:?I2 = ?I3+ ?I4+ ?I5
當(dāng)幾個(gè)電流回路互相分開,采用并聯(lián)供電,每個(gè)電流回路具有du立性,不會(huì)產(chǎn)生電流共模干擾。
八、避免干擾信號(hào)在電路中產(chǎn)生諧振
共模天線的一級(jí)是整個(gè)線路板,另一級(jí)是連接電纜中的地線。要減小輻射干擾有效的方法是對(duì)整個(gè)線路板進(jìn)行屏蔽,并且外殼接地。電場(chǎng)輻射干擾的原因是高頻信號(hào)對(duì)導(dǎo)體或引線進(jìn)行充電,應(yīng)盡量減小導(dǎo)體的長(zhǎng)度和表面積。
磁場(chǎng)干擾的原因是在導(dǎo)體或回路中有高頻電流流過,應(yīng)該盡量減小線路板中電流回路的長(zhǎng)度和面積。頻率越高,電磁輻射干擾就越嚴(yán)重;當(dāng)載流體的長(zhǎng)度可以與信號(hào)的波長(zhǎng)比擬時(shí),干擾信號(hào)輻射將增強(qiáng)。
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YXC車規(guī)級(jí)諧振器8MHz,無源晶振3225封裝應(yīng)用于車載藍(lán)牙模塊
藍(lán)牙模塊,是一種集成藍(lán)牙功能的PCBA板,用于短距離無線通訊,按功能分為藍(lán)牙數(shù)據(jù)模塊和藍(lán)牙語音模塊。藍(lán)牙模塊是指集成藍(lán)牙功能的芯片基本電路集合,用于無線網(wǎng)絡(luò)通訊,大致可分為三大類型:傳送數(shù)據(jù)模塊、藍(lán)牙音頻模塊、藍(lán)牙音頻+數(shù)據(jù)二合一模塊等等。一般模塊具有半成品的屬性,是在芯片的基礎(chǔ)上進(jìn)行過加工,以使后續(xù)應(yīng)用較為簡(jiǎn)單。藍(lán)牙模塊根據(jù)用途分有數(shù)據(jù)藍(lán)牙模塊,串口藍(lán)牙模塊,語音藍(lán)牙模塊,車載藍(lán)牙模塊,3225
YXC石英有源差分可編程晶振,頻點(diǎn)200MHZ,小數(shù)點(diǎn)可準(zhǔn)確至后6位,應(yīng)用于5G基站
5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的he心設(shè)備,提供無線覆蓋,實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無線終端之間的無線信號(hào)傳輸。基站的架構(gòu)、形態(tài)直接影響5G網(wǎng)絡(luò)如何部署。由于頻率越高,信號(hào)傳播過程中的衰減也越大,5G網(wǎng)絡(luò)的基站密度將莄高。晶振在5G基站的作用是提供準(zhǔn)確信號(hào)源與之配合,以協(xié)作模式實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間借由網(wǎng)絡(luò)渠道達(dá)到數(shù)據(jù)高速傳輸(交換)的目的。因此,5G技術(shù)對(duì)晶振也提出了同樣嚴(yán)格要求。主要體現(xiàn)在以下幾方面:1)高頻輸出2)精度高
什么是溫補(bǔ)晶振?溫補(bǔ)晶振定義為石英晶體振蕩器,采用補(bǔ)償方式制作,通過外圍電路將壓電應(yīng)時(shí)晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫度呈三次曲線變化,反轉(zhuǎn),使應(yīng)時(shí)晶體原有頻率隨溫度變化盡可能小。溫補(bǔ)晶振在無線傳輸?shù)膽?yīng)用中,無線透明傳輸模塊以體積小、功耗低為重要發(fā)展指標(biāo)。在正常工作條件下,常見的晶振頻率的精度可以達(dá)到百萬分之五十,而溫補(bǔ)晶振的精度較高。溫度補(bǔ)償晶振由恒溫槽控制電路和振蕩電路組成。通常用熱敏電
YXC高頻差分晶振,頻點(diǎn)312.5mhz,精度高.穩(wěn)定性高,應(yīng)用于AI加速卡
AI加速卡,通常也被稱為AI算力卡,是一種專為加速人工智能(AI)應(yīng)用和算法而設(shè)計(jì)的硬件設(shè)備。AI加速卡在數(shù)據(jù)中芯、云計(jì)算、邊緣計(jì)算和性能高計(jì)算(HPC)環(huán)境中廣泛應(yīng)用,用于加速圖像識(shí)別、自然語言處理、語音識(shí)別等,隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展,AI加速卡的設(shè)計(jì)和性能也在持續(xù)進(jìn)化,以滿足日益增長(zhǎng)的計(jì)算需求。在一些AI加速卡中,揚(yáng)興推出的YXC差分晶振YSO210PR系列,該系列頻率范圍為10MHz ~15
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小尺寸OCXO恒溫振蕩器 YOV0907SM 10至100MHZ 3.3V和5V
CMOS VC TCXO壓控溫補(bǔ)晶振YSV350TP 6.4至60MHZ 低功耗6mA 高穩(wěn)定性正負(fù)0.5ppm
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF 正負(fù)20PPM 負(fù)40至85度 XKYJI112 32.768K
表晶YST310S 32.768KHZ 12.5PF 正負(fù)20PPM 負(fù)40至85度 XKXGI112 32.768K
Q MEMS差分壓控振蕩器YSV220PR 122.88MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引 正負(fù)50PPM LVDS
石英晶體YSX1210SL 32MHZ 8PF 正負(fù)10PPM 負(fù)40至85度 XL5KI11132M
晶體YSX1612SC 24MHZ 8PF 正負(fù)10PPM 負(fù)40至125度 XC4KO11424M
熱敏晶體YSX211TS 19.2MHZ 7PF 正負(fù)10PPM 負(fù)30至85度 XS7JNGTE19.2M
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