KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜

     

          1064nm 窄帶濾光片是在各類玻璃材質(zhì)表面通過(guò)特殊的鍍膜工藝而形成的光學(xué)元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長(zhǎng), 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長(zhǎng)定位準(zhǔn)確、透過(guò)高、截止深、溫漂小、性好、光潔度好的特點(diǎn), 是激光設(shè)備應(yīng)用中常見(jiàn)的濾光片解決方案.

     

          1064nm 窄帶濾光片使用在各種特殊的場(chǎng)合和惡劣的氣候環(huán)境, 要求濾光片在苛刻的使用條件下有良好的性能, 故膜層的牢固度和技術(shù)指標(biāo)穩(wěn)定性非常重要. 這些性能包括:大口徑面積內(nèi)膜層均勻性好、透射率要求高、膜層牢固度高、波長(zhǎng)穩(wěn)定性好(零漂移)等. 上海伯東某客戶采用采用光學(xué)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制 1064nm 窄帶濾光片激光膜, 以達(dá)到客戶對(duì)于鍍膜效果的需求.

     

     

    KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜:

     

    1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積

    2. 鍍膜機(jī)型: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 380

    3. 測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試

    4. 鍍膜材料: Ti305+Si02、Ta205+Si02

    5. 應(yīng)用領(lǐng)域: 激光設(shè)備、生化儀、光學(xué)測(cè)量?jī)x器、酶標(biāo)儀、生物識(shí)別、紅外醫(yī)療儀器、熒光分析儀、醫(yī)療檢測(cè)設(shè)備等其他生物化學(xué)分析儀器

     

           上海伯東美國(guó)進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制1064nm窄帶濾光片, 沉積過(guò)程穩(wěn)定, 加以合理的膜系設(shè)計(jì), 可以很好地鍍制出透過(guò)、截止寬度寬、溫度漂移小、膜層致密度高、使用壽命長(zhǎng)的產(chǎn)品.  

           上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過(guò)柵控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間長(zhǎng)! 射頻離子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

     

     

     

    射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

     

    型號(hào)

    RFICP 40

    RFICP 100

    RFICP 140

    RFICP 220

    RFICP 380

    Discharge 陽(yáng)

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    離子束流

    >100 mA

    >350 mA

    >600 mA

    >800 mA

    >1500 mA

    離子動(dòng)能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    柵直徑

    4 cm Φ

    10 cm Φ

    14 cm Φ

    22 cm Φ

    38 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    3-10 sccm

    5-30 sccm

    5-30 sccm

    10-40 sccm

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    長(zhǎng)度

    12.7 cm

    23.5 cm

    24.6 cm

    30 cm

    39 cm

    直徑

    13.5 cm

    19.1 cm

    24.6 cm

    41 cm

    59 cm

    中和器

    LFN 2000 or RFN

     

    上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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    上海伯東: 羅小姐 


    伯東企業(yè)(上海)有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)

    氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以**化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過(guò)程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過(guò)程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過(guò) 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要

  • 上海伯東KRI 離子源在鍺基紅外鍍膜中的應(yīng)用

    ? ? 紅外光學(xué)薄膜器件作為紅外系統(tǒng)重要組成部分,?已廣泛應(yīng)用于航空航天、、環(huán)保、分析儀器等各個(gè)領(lǐng)域.?在紅外光學(xué)應(yīng)用中,?由于鍺在2~14μm紅外波段內(nèi)有高而均勻的透過(guò)率,?是一種的優(yōu)良紅外光學(xué)材料.?鍺單晶切片加工成的鍺透鏡及鍺窗和利用鍺單晶透過(guò)紅外波長(zhǎng)特性制成的各種紅外光學(xué)部件廣泛用于各類紅外光學(xué)系統(tǒng).?&nbs

  • HVA 真空閘閥在氣體管路系統(tǒng)應(yīng)用

    因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。美國(guó) HVA?真空閘閥在氣體管路系統(tǒng)應(yīng)用半導(dǎo)體工廠, 太陽(yáng)能光伏, LED, 鍍膜等行業(yè)在工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(tǒng)(真空管路)的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩(wěn)定的供應(yīng)到工藝設(shè)備內(nèi). 美國(guó) HVA?真空閘閥廣泛用在氣體輸送環(huán)

  • KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

    ??紅外截止濾光片?(IRCF)?是利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜,?實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光區(qū)(400nm-630nm)高透,?近紅外(700nm-1100nm)截止的光學(xué)濾光片,?主要應(yīng)用于可拍照手機(jī)攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域,?用于紅外光線對(duì)?CCD/CM

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