KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

      紅外截止濾光片 (IRCF) 是利用精密光學鍍膜技術(shù)在光學基片上交替鍍上高低折射率的光學膜, 實現(xiàn)可見光區(qū)(400nm-630nm)高透, 近紅外(700nm-1100nm)截止的光學濾光片, 主要應用于可拍照手機攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領域, 用于紅外光線對 CCD/CMOS 成像的影響. 通過在成像系統(tǒng)中加入紅外截止濾光片, 阻擋該部分干擾成像質(zhì)量的紅外光, 可以使所成影像加符合人眼的感覺. 上海伯東某客戶為精密光學鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 經(jīng)過伯東選用國產(chǎn)鍍膜機加裝美國進口 KRi 霍爾離子源完成 IR-cut 工藝過程, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.

     

    KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

     

    1. 應用方向: 離子清洗, 輔助沉積

    2. 鍍膜機型: 1米7 的大型蒸鍍設備, 配置美國 KRi 霍爾離子源 eH 3000

    3. 測試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時高溫高濕嚴苛環(huán)境測試

    4. 鍍膜材料: Ti305+Si02

     

        結(jié)果表明采用上海伯東美國進口 KRI 霍爾離子源, 可以獲得較高折射率的TI3O5膜層, 通過多次驗證, KRI 離子源輔助鍍膜可以獲得穩(wěn)定的膜層結(jié)構(gòu).  

     

     

        美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護.


    霍爾離子源 eH 系列在售型號:

    型號

    eH400

    eH1000

    eH2000

    eH3000

    eH Linear

    中和器

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F

    陽電壓

    50-300 V

    50-300 V

    50-300 V

    50-250 V

    50-300 V

    離子束流

    10A

    10A

    20A

    根據(jù)實際應用

    散射角度

    >45

    >45

    >45

    >45

    >45

    氣體流量

    2-25 sccm

    2-50 sccm

    2-75 sccm

    5-100 sccm

    根據(jù)實際應用

    本體高度

    3.0“

    4.0“

    4.0“

    6.0“

    根據(jù)實際應用

    直徑

    3.7“

    5.7“

    5.7“

    9.7“

    根據(jù)實際應用

    水冷

    可選

    可選

    可選

    根據(jù)實際應用

     

       1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

     

    上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

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    上海伯東: 羅小姐 


    伯東企業(yè)(上海)有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

  • 詞條

    詞條說明

  • 美國 HVA 真空閥門選型

    上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產(chǎn)品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列

  • HVA 真空閥門用在氣體管路系統(tǒng)

    某半導體工廠在生產(chǎn)線上氣體輸送環(huán)節(jié)的氣體管路系統(tǒng)采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?,作為真空隔離密封.?HVA?是真空技術(shù)創(chuàng)新者的真空閥門(插板閥),?是高真空閥門的主要制造商和供應商.?在設計真空系統(tǒng)時,?可以輕松集成?HVA?閥門. HVA?閘閥從5/8英寸(16

  • KRI 霍爾離子源應用于黑膜鍍制

    ? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術(shù).?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景.?如可在精密光學儀器和光學零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)

  • 氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備

    氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導傳輸系統(tǒng)進入反應器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某

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