KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

時間：2024-01-12

上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源 RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.

離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件, KRi 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間長, 滿足各種材料刻蝕需求! 氣體通入離子源的放電室中, 電離產(chǎn)生均勻的等離子體, 由離子源的柵將正離子引出并加速, 然后由中和器進行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料去除, 進而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程, 一般運行在較高的真空度下.

IBE 類型設備的優(yōu)點主要是等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間, 通過柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以立控制; 其次 IBE 的晶圓載臺可以實現(xiàn)自轉, 并通過角度調整, 實現(xiàn)傾斜入射.

上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間長

RF 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RF 系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

詞條
詞條說明
HVA 真空閥門71000系列, 適用于苛刻的真空環(huán)境, 易于維護
說到真空閥門, HVA 是繞不開的, HVA 真空閥門是行業(yè)的者. HVA真空閥門包含HVA 真空矩形閥、HVA 真空閘閥, 真空插板閥、HVA 真空角閥等.?在 HVA 真空閥門中 71000 系列閥門, 憑借其在 HVA 閥門中廣為人知的性和性, 使用壽命 > 250,000 cycles 啟閉次數(shù).?HVA?真空閥門?71000 系列由堅固的不繡
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n
美國 HVA 高真空閥門簡介
美國?HVA 真空閥門中國總代理上海伯東是美國?HVA 高真空和高真空閥門中國總代理!?HVA?是美國大的真空閥門制造商, 在美國有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動加工工廠,?HVA?提供高質量, 準確, 客制化的真空閥門. 無論是生產(chǎn)線升級, 還是新設備制造,?HVA?都能提供經(jīng)濟有效的閥門解決方案,
KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜
? ?? ?紫外濾光片是一種光學元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學薄膜控制入射光通過膜層后不同波長光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個波段, 因為其生物體透過率低, 被譽為對人體的紫外線.222nm遠紫外產(chǎn)品一定程度上解決了傳統(tǒng)紫外線不能直接照射人體的痛點問題, 兼顧了功能性和性, 實現(xiàn)了人機友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達99.9%的細