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CR6212B系列是CR6267系列的升級版CR6212B是一款高性能原邊檢測控 制的 PWM 開關(guān),待機(jī)功耗小于 75mW。 CR6212B內(nèi)部采用了多模式控制的效率 均衡技術(shù),用于優(yōu)化芯片系統(tǒng)待機(jī)功耗和 提升效率,同時采用了初級電感量補(bǔ)償技 術(shù)和內(nèi)部集成的輸出線電壓補(bǔ)償技術(shù),保 證了芯片在批量生產(chǎn)過程中 CC/CV 輸出 精度,內(nèi)置的全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償技術(shù) 保證了系統(tǒng)在全電壓范圍(90V~2
深圳市維品佳科技有限公司代理、分銷世界廠家生產(chǎn)的電源IC、場效應(yīng)管、二管、三管、可控硅、快恢復(fù)、肖特基、光耦、單片機(jī)等電子元器件,佳仕達(dá)一向以品質(zhì),服務(wù)周到’為發(fā)展方針,我們提供的服務(wù)主要包括: 方案與技術(shù)支持以及售后服務(wù) 提供、電源IC。 方案與技術(shù)支持以及售后服務(wù) 提供、電源IC。 并為客戶提供電源解決方案和優(yōu)良的技術(shù)服務(wù)。MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET
直插封裝的新型反激功率開關(guān)CR6249 啟達(dá)芯片
直插封裝的新型反激功率開關(guān)CR6249 啟達(dá)芯片CR6249 芯片特性:1.CR6249是DIP8封裝的新型反激功率開關(guān);2.內(nèi)置軟啟動,減小 MOSFET 的應(yīng)力,內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路;3.具有頻率抖動功能,使其具有良好的 EMI 特性;4.264VAC 輸入待機(jī)功耗:<75mW;5.具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復(fù)等保護(hù)功能;6.無需光耦和 TL431,電路結(jié)構(gòu)簡單、較
CR5229綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229是內(nèi)置高壓功率 MOSFET 的電流模反激 PWM 控制芯片,適用于 18W 以內(nèi)的離線式反激開關(guān)電源,具有、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點。為了保證芯片正常工作,CR5229針對各種故障設(shè)計了一系列完善的具有自動恢復(fù)功能的保護(hù)措施,包括軟啟動、過溫保護(hù)(OTP)、V DD 欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)、過壓保護(hù)(OVP)及箝位、逐周期電流限制(OCP
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