產(chǎn)品特點(diǎn) 納米氮化硅(Si3N4)通過氣溶膠燒蝕法制備,純度高,粒徑小,分布均勻,比表面積大,表面活性高,松裝密度低,紫外線反射率為95%以上和吸收紅外波段的吸收率在97%以上,器件的成瓷溫度低,尺寸穩(wěn)定性好,機(jī)械強(qiáng)度高,耐化學(xué)腐蝕性能好,特別是高溫度強(qiáng)度大,并有自潤滑效果,其在復(fù)合材料中形成細(xì)微的彌散相,從而大大地提高了復(fù)合材料的綜合性能。其產(chǎn)品本身具有自潤滑性能,可應(yīng)用于潤滑油中。氮化硅硬度高,滑動摩擦系數(shù)小的特點(diǎn)可以應(yīng)用于金屬表面陶瓷耐磨復(fù)合鍍,應(yīng)用到涂料中可以起到耐磨與耐溶劑特性,高純度氮化硅可以用在石英坩堝脫模劑用。 產(chǎn)品參數(shù) 產(chǎn)品 納米氮化硅(Si3N4) 產(chǎn)品型號 ZH-Si3N4-01 平均粒度 20nm 產(chǎn)品純度 99.9% 比表面積 70.625m2/g 理論密度 2.501g/cm3 松裝密度 0.102g/cm3 熔 點(diǎn) 2200℃ 沸 點(diǎn) 3100℃ 晶 型 近球形 外 觀 白色蓬松粉末 分散性 氣相法制備,易于分散液體與高分子材料中 備注 產(chǎn)品粒度大小可以定制加工,公司可以提供表面處理技術(shù)、分散劑、應(yīng)用技術(shù)指導(dǎo)。 產(chǎn)品應(yīng)用 1制造結(jié)構(gòu)器件:如冶金、化工、機(jī)械、航空、航天及能源等行業(yè)中使用的滾動軸承的滾珠和滾子、滑動軸承、套、閥以及有耐磨、耐高溫、耐腐蝕要求的結(jié)構(gòu)器件,火箭用噴嘴、導(dǎo)彈用噴管; 2金屬及其它材料表面處理:如模具、切削刀具、汽輪機(jī)葉片、渦輪轉(zhuǎn)子以及汽缸內(nèi)壁涂層等合金; 3復(fù)合材料:如金屬、陶瓷及石墨基復(fù)合材料,橡膠、塑膠、涂料、膠粘劑及其它高分子基復(fù)合材料 ; 4耐磨自潤滑納米顆粒薄膜,用于手機(jī)、**汽車等表面保護(hù),耐磨涂料、電泳漆添加劑,起到高耐磨特性。 包裝儲存 本品為充惰氣塑料袋包裝,密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜暴露空氣中,防受潮發(fā)生氧化團(tuán)聚,影響分散性能和使用效果;包裝數(shù)量可以根據(jù)客戶要求提供,分裝。
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產(chǎn)品特點(diǎn) 納米氮化硅(Si3N4)通過氣溶膠燒蝕法制備,純度高,粒徑小,分布均勻,比表面積大,表面活性高,松裝密度低,紫外線反射率為95%以上和吸收紅外波段的吸收率在97%以上,器件的成瓷溫度低,尺寸穩(wěn)定性好,機(jī)械強(qiáng)度高,耐化學(xué)腐蝕性能好,特別是高溫度強(qiáng)度大,并有自潤滑效果,其在復(fù)合材料中形成細(xì)微的彌散相,從而大大地提高了復(fù)合材料的綜合性能。其產(chǎn)品本身具有自潤滑性能,可應(yīng)用于潤滑油中。氮化硅硬度高
LED散熱技術(shù) LED散熱技術(shù),這是常見的散熱方式,用鋁散熱鰭片做為外殼的一部分來增加散熱面積。 LED發(fā)熱問題 與傳統(tǒng)光源一樣,半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)在工作期間也會產(chǎn)生熱量,其多少取決于整體的發(fā)光效率。 在外加電能量作用下,電子和空穴的輻射復(fù)合發(fā)生電致發(fā)光,在PN結(jié)附近輻射出來的光還需經(jīng)過芯片(chip)本身的半導(dǎo)體介質(zhì)和封裝介質(zhì)才能抵達(dá)外界(空氣)。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光**效率、芯
納米氮化鋁粉作為一種重要的IIIA族氮化物,屬共價(jià)鍵化合物,六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu)。納米氮化鋁粉既是優(yōu)異的結(jié)構(gòu)材料,又是特殊的功能材料,具有許多優(yōu)異的性能,近年來受到了人們的關(guān)注。主要表現(xiàn)在,納米氮化鋁粉有高的電阻率以及較低的介電常數(shù),有好的絕緣特性,可以作為高溫和大功率電子器件的封裝材料。納米氮化鋁粉有高的熱導(dǎo)率(320W/m.k)大約是A1203的10倍,適合于作為大功率器件、集成電路的散熱材料
LED散熱技術(shù) LED散熱技術(shù),這是常見的散熱方式,用鋁散熱鰭片做為外殼的一部分來增加散熱面積。 LED發(fā)熱問題 與傳統(tǒng)光源一樣,半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)在工作期間也會產(chǎn)生熱量,其多少取決于整體的發(fā)光效率。 在外加電能量作用下,電子和空穴的輻射復(fù)合發(fā)生電致發(fā)光,在PN結(jié)附近輻射出來的光還需經(jīng)過芯片(chip)本身的半導(dǎo)體介質(zhì)和封裝介質(zhì)才能抵達(dá)外界(空氣)。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光**效率、芯片
聯(lián)系人: 周勇
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