鋰電池回收保護(hù)板的基礎(chǔ)知識(shí)

時(shí)間：2020-06-12作者：江西聚鑫源廢舊物資回收有限公司瀏覽：146

鋰電池回收保護(hù)板的基礎(chǔ)知識(shí)

 

鋰電池回收保護(hù)板是對(duì)串聯(lián)鋰電池組的充放電保護(hù)；在充滿電時(shí)能保證各單體電池之間的電壓差異小于設(shè)定值（一般±20mV），實(shí)現(xiàn)電池組各單體電池的均充，有效地改善了串聯(lián)充電方式下的充電效果；同時(shí)檢測(cè)電池組中各個(gè)單體電池的過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、短路、過(guò)溫狀態(tài)，保護(hù)并延長(zhǎng)電池使用壽命；欠壓保護(hù)使每一單節(jié)電池在放電使用時(shí)避免電池因過(guò)放電而損壞。
 
成品鋰電池組成主要有兩大部分，鋰電池芯和保護(hù)板，鋰電池芯主要由正極板、隔膜、負(fù)極板、電解液組成；正極板、隔膜、負(fù)極板纏繞或?qū)盈B，包裝，灌注電解液，封裝后即制成電芯，鋰電池保護(hù)板的作用很多人都不知道，鋰電池保護(hù)板，顧名思義就是保護(hù)鋰電池用的，鋰電池保護(hù)板的作用是保護(hù)電池不過(guò)放、不過(guò)充、不過(guò)流，還有就是輸出短路保護(hù)。
 
1、過(guò)充保護(hù)及過(guò)充保護(hù)恢復(fù)
 
當(dāng)電池被充電使電壓**過(guò)設(shè)定值VC(4.25-4.35V，具體過(guò)充保護(hù)電壓取決于IC)后，VD1翻轉(zhuǎn)使Cout變?yōu)榈碗娖?，T1截止，充電停止.當(dāng)電池電壓回落至VCR(3.8-4.1V，具體過(guò)充保護(hù)恢復(fù)電壓取決于IC)時(shí)，Cout變?yōu)楦唠娖?，T1導(dǎo)通充電繼續(xù)，VCR必須小于VC一個(gè)定值，以防止頻繁跳變。
 
2、過(guò)放保護(hù)及過(guò)放保護(hù)恢復(fù)
 
當(dāng)電池電壓因放電而降低至設(shè)定值VD（2.3-2.5V，具體過(guò)充保護(hù)電壓取決于IC）時(shí)，VD2翻轉(zhuǎn)，以短時(shí)間延時(shí)后，使Dout變?yōu)榈碗娖?，T2截止，放電停止，當(dāng)電池被置于充電時(shí)，內(nèi)部或門被翻轉(zhuǎn)而使T2再次導(dǎo)通為下次放電作好準(zhǔn)備。
 
3、過(guò)流、短路保護(hù)
 
當(dāng)電路充放回路電流**過(guò)設(shè)定值或被短路時(shí)，短路檢測(cè)電路動(dòng)作，使MOS管關(guān)斷，電流截止。
 
IC在保護(hù)板中一般為6個(gè)管腳的封裝形式，其區(qū)別管腳的方法為：在封裝體上標(biāo)識(shí)黑點(diǎn)的附近為*1管腳，然后逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)分別為第2、3、4、5、6管腳；如封裝體上無(wú)黑點(diǎn)標(biāo)識(shí)，則正看封裝體上字符左下為*1管腳，其余管腳逆時(shí)針類推）C-MOS：場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管；保護(hù)功能的實(shí)現(xiàn)者；連焊、虛焊、假焊、擊穿時(shí)會(huì)造成電池?zé)o保護(hù)、無(wú)顯示、輸出電壓低等不良現(xiàn)象。
 
總結(jié)：CMOS在保護(hù)板中一般為8個(gè)管腳的封裝形式，它時(shí)由兩個(gè)MOS管構(gòu)成，相當(dāng)于兩個(gè)開(kāi)關(guān)，分別控制過(guò)充保護(hù)和過(guò)放、過(guò)流、短路保護(hù)；其管腳區(qū)分方法和IC一樣。
 
在保護(hù)板正常情況下，Vdd為高電平，Vss、VM為低電平，Dout、Cout為高電平；當(dāng)Vdd、Vss、VM任何一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí)，Dout或Cout的電平將發(fā)生變化，此時(shí)MOSFET執(zhí)行相應(yīng)的動(dòng)作（開(kāi)、關(guān)電路），從而實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)和恢復(fù)功能。
 
此類不良首先排除電芯不良（電芯本來(lái)無(wú)電壓或電壓低），如果電芯不良則應(yīng)測(cè)試保護(hù)板的自耗電，看是否是保護(hù)板自耗電過(guò)大導(dǎo)致電芯電壓低。如果電芯電壓正常，則是由于保護(hù)板整個(gè)回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC損壞等）。具體分析步驟如下：
 
（一）、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假設(shè)電芯電壓為3.8V），逐段進(jìn)行分析，此幾個(gè)測(cè)試點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問(wèn)題。
 
1.FUSE兩端電壓有變化：測(cè)試FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)通則是PCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)通則FUSE有問(wèn)題（來(lái)料不良、過(guò)流損壞（MOS或IC控制失效）、材質(zhì)有問(wèn)題（在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，繼續(xù)往后分析。
 
2.R1電阻兩端電壓有變化：測(cè)試R1電阻值，若電阻值異常，則可能是虛焊，電阻本身斷裂。若電阻值無(wú)異常，則可能是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問(wèn)題。
 
3.IC測(cè)試端電壓有變化：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端異常,則是由于IC虛焊或損壞。
 
4.若**電壓都無(wú)變化，測(cè)試B-到P+間的電壓異常，則是由于保護(hù)板正極過(guò)孔不通。

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