國(guó)芯思辰|優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制,滿足項(xiàng)目性能需求

    YC40N04BDE是優(yōu)晶的N溝道MOSFET,該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。

    某工程師在PCR項(xiàng)目TEC控制部分需要用到4個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管來控制TEC,該工程師想要了解一些國(guó)產(chǎn)廠牌的MOS,因此國(guó)芯思辰給其介紹了優(yōu)晶的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管YC40N04BDE。

    YC40N04BDE具有以下特點(diǎn):

    1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù),VDS耐壓可以達(dá)到40V,ID可以達(dá)到40A,對(duì)于低壓設(shè)計(jì)留有足夠的余量。

    2、采用高密度單元設(shè)計(jì),RDS(on) 低至8mΩ(VGS=10V),較低的導(dǎo)通電阻,可以減少開關(guān)損耗。

    3、工作溫度在-55℃-150℃之間,有較強(qiáng)的環(huán)境溫度適應(yīng)性,可以適用于低溫或者高溫的環(huán)境。

    4、采用DFN3*3封裝,具有較強(qiáng)的散熱能力。

    封裝示意圖:

    綜上,YC40N04BDE在性能上都能滿足TEC驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)要求,非常適用于PCR儀的設(shè)計(jì)。


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