KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：55

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

  半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻

• 美國(guó) HVA 真空閥門(mén)選型

  上海伯東美國(guó)?HVA 真空閥門(mén)選型實(shí)例產(chǎn)品系列特點(diǎn)口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長(zhǎng)使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列

• KRI 離子源用于離子束拋光機(jī)

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• HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)

  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。HVA?高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)OLED 鍍膜機(jī)主要面向半導(dǎo)體照明客戶(hù), 需要鍍膜機(jī)性能穩(wěn)定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應(yīng)用一般科研用鍍膜機(jī)的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達(dá)到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時(shí)需要配置分子泵系統(tǒng)或低溫泵