硅片切割廠家

    北京華諾恒宇光能科技有限公司,成立于2002年,是專注于半導(dǎo)體、印制電路板、陶瓷電容、柔性線路板、LED微精密加工(納米級)、硅片切割的高科技公司,在精密切割、打孔、微孔加工領(lǐng)域占據(jù)一定的市場份額,系高精度制造加工系統(tǒng)的*。

    一、光纖激光劃片機(jī)激光器
    泵浦源采用進(jìn)口新型半導(dǎo)體材料,大大提高電光轉(zhuǎn)換效率。
    替代*二代真正做到免維護(hù)。
    光束質(zhì)量好。準(zhǔn)基模(低階模),發(fā)散角小。
    全封閉光路設(shè)計,光釬傳輸,確保激光器長期連續(xù)穩(wěn)定運行,對環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)。
    同光路紅光瞄準(zhǔn)定位指示。
    二、光纖激光劃片機(jī)主要部件全部采用進(jìn)口件
    1、泵浦源--德國
    2、工作臺傳動絲杠--德國
    3、工作臺傳動導(dǎo)軌--韓國
    4、半導(dǎo)體激光指示器--日本
    三、光纖激光劃片機(jī)設(shè)備整機(jī)性能優(yōu)越
    1、**技術(shù)確保設(shè)備性能較穩(wěn)定,效率較高。
    2、低電流、高效率。工作電流小,速度快,基本做到免維護(hù),無材料損耗,**率,運行成本較低。
    3、連續(xù)工作時間長。24小時不間斷工作。
    4、運行穩(wěn)定。劃片加工成品率高。不會出現(xiàn)填充因子降低
    5、整機(jī)采取**標(biāo)準(zhǔn)模塊化設(shè)計,結(jié)構(gòu)合理,安裝維護(hù)較方便簡潔。
    6、各系統(tǒng)和部件合理配置,各部分和整機(jī)發(fā)揮 高效益。
    7、控制面板人性化設(shè)計,操作簡單程序化,避免誤動作。
    8、聲光警示報警,完備的設(shè)備運行保護(hù)功能,并符合激光安全**標(biāo)準(zhǔn)。
    四、光纖激光劃片機(jī)工作臺
    1、雙氣倉真空吸附。
    2、T型臺雙工位交替運行,提高工作高效率。
    3、幅面350×350mm;行程320×320mm。
    4、重復(fù)定位精度±10μm。
    5、主要部件進(jìn)口:絲杠-德國、導(dǎo)軌-韓國,保證精度和耐用性。
    6、自動抽風(fēng)除塵,減少粉塵對設(shè)備和人員的干擾和污染。


    北京華諾恒宇光能科技有限公司專注于硅片精密切割,**薄金屬精密切割,墊片閥片切割等

  • 詞條

    詞條說明

  • 硅片精密切割操作中會出現(xiàn)哪些問題

    硅片精密切割操作中會出現(xiàn)哪些問題硅片切割要求很高,而且切割機(jī)的技術(shù)水平非常優(yōu)秀,才能制作出**的作品。硅片切割本身并不是一件容易的事情,其中會有問題。我們在操作中要注意。1、雜質(zhì)線痕:由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起,在切片過程中無法完全去除,導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆?;蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中,SIC顆?!翱ā痹阡摼€與硅片之間,無法溢出,造成線痕。表現(xiàn)形式:包括整條線痕和半

  • 【激光蝕刻】激光技術(shù)的應(yīng)用

    激光加工技術(shù)激光的空間控制性和時間控制性很好,對加工對象的材質(zhì)、形狀、尺寸和加工環(huán)境的自由度都很大,特別適用于自動化加工。激光加工系統(tǒng)與計算機(jī)數(shù)控技術(shù)相結(jié)合可構(gòu)成高效自動化加工設(shè)備,已成為企業(yè)實行適時生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù),為優(yōu)質(zhì)、高效和低成本的加工生產(chǎn)開辟了廣闊的前景。熱加工和冷加工均可應(yīng)用在金屬和非金屬材料,進(jìn)行切割,打孔,刻槽,標(biāo)記等.熱加工金屬材料進(jìn)行焊接,表面處理,生產(chǎn)合金,切割均較有利.冷加工

  • 激光蝕刻深度

    首先,蝕刻需要一塊經(jīng)過清潔處理并覆上感光膜涂層的金屬板。為了蝕刻出所需的部件形狀,先通過電腦制圖將部件繪圖制印表現(xiàn)于膠片上,它包含非透光區(qū)(黑色-將被蝕刻的部分)以及透光區(qū)(透明色-免除蝕刻的部分)。膠片對位放置好后,將材料曝光,光線只照到膠片透光區(qū)下方的涂層,被照光涂層發(fā)生硬化作用,以便于后來顯影液無法溶除該硬化涂層。顯影之后,將蝕刻劑噴至材料表面,或?qū)⒉牧辖谄渲小Ng刻劑會將硬化保護(hù)層以外的材

  • 硅片切割一般有什么難點

    硅片切割一般有什么難點1、雜質(zhì)線痕:由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起,在切片過程中無法完全去除,導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆?;蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中,SIC顆?!翱ā痹阡摼€與硅片之間,無法溢出,造成線痕。 表現(xiàn)形式:包括整條線痕和半截線痕,內(nèi)凹,線痕發(fā)亮,較其它線痕較加窄細(xì)。 3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題,造成硅片上出現(xiàn)密集線痕

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