集成電路芯片的電磁兼容問題

    集成電路芯片的EMI來源

    PCB中集成電路EMI的來源主要有:數(shù)字集成電路從邏輯高到邏輯低之間轉(zhuǎn)換或者從邏輯低到邏輯高之間轉(zhuǎn)換過程中,輸出端產(chǎn)生的方波信號頻率導(dǎo)致的EMI;信號電壓和信號電流電場和磁場;IC芯片自身的電容和電感等。集成電路芯片輸出端產(chǎn)生的方波中包含頻率范圍寬廣的正弦諧波分量,這些正弦諧波分量構(gòu)成工程師所關(guān)心的EMI頻率成分。較高EMI頻率也稱為EMI**帶寬,它是信號上升時間(而不是信號頻率)的函數(shù)。計算EMI**帶寬的公式為:

    F=0.35/Tr

    式中,F(xiàn)是頻率,單位是GHz;Tr信號上升時間或者下降時間,單位為ns。

    從上述公式中可以看出,如果電路的開關(guān)頻率為50MHz,而采用的集成電路芯片的上升時間是1 ns,那么該電路的較高EMI**頻率將達到350 MHz,遠遠大于該電路的開關(guān)頻率。而如果IC的上升時間為500ps,那么該電路的較高EMI**頻率將高達700MHz

    當(dāng)IC芯片的輸出在邏輯高低電平間變換時,信號電壓和信號電流就會產(chǎn)生電場和磁場,而這些龜場和磁場的較高頻率就是**帶寬。電場和磁場的強度以及對外輻射的百分比,不僅是信號上升時間的函數(shù),同時也取決于對信號源到負載點之間信號通道上電容和電感的控制的好壞,因此,信號源位于PCB板的IC內(nèi)部,而負載位于其他的IC內(nèi)部,這些IC可能在PCB上,也可能不在該PCB上。為了有效地控制EMI,不僅需要關(guān)注IC芯片自身的電容和電感,同樣需要重視PCB上存在的電容和電感。


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