optodiode探測(cè)器問(wèn)題指南

時(shí)間：2023-03-06作者：深圳維爾克斯光電有限公司瀏覽：126

optodiode探測(cè)器常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法如下：美國(guó)optodiode探測(cè)器響應(yīng)時(shí)間太長(zhǎng)（時(shí)間常數(shù)太慢），第一步是檢查源強(qiáng)度。如果光源的強(qiáng)度太高（**過(guò)1mW/cm2），探測(cè)器材料將加熱到改變探測(cè)器特性的點(diǎn)。這種變化迫使探測(cè)器比較初進(jìn)行測(cè)量所需的時(shí)間較長(zhǎng)，因?yàn)榛旧咸綔y(cè)器被重新敏化，這改變了探測(cè)器的光導(dǎo)特性。對(duì)探測(cè)器性能的影響程度取決于加熱/變化區(qū)域與整個(gè)探測(cè)器表面積的比率。

optodiode探測(cè)器是線(xiàn)性的嗎？通常，當(dāng)我們談?wù)摼€(xiàn)性時(shí)，我們指的是響應(yīng)性線(xiàn)性。當(dāng)膠片耗盡自由載流子時(shí)，這些載流子將被入射光子強(qiáng)制傳導(dǎo)，探測(cè)器被推入非線(xiàn)性區(qū)域。入射光子不再增加探測(cè)器的響應(yīng)。有關(guān)線(xiàn)性圖表，請(qǐng)參閱下圖。PbS，PbSe探測(cè)器信號(hào)輸出與入射輻射呈線(xiàn)性關(guān)系，范圍為10-7W/cm²至10-3W/cm²。



optodiode探測(cè)器的具體應(yīng)用問(wèn)題

探測(cè)器可以用于脈沖激光輪廓或定位，只要激光的脈沖寬度足夠長(zhǎng)，波長(zhǎng)在正確的范圍內(nèi)，功率密度在極限范圍內(nèi)。請(qǐng)注意您正在使用/考慮的型號(hào)的探測(cè)器時(shí)間常數(shù)。探測(cè)器時(shí)間常數(shù)在微秒范圍內(nèi)。如果脈沖寬度明顯快于此范圍，則探測(cè)器將沒(méi)有足夠的時(shí)間響應(yīng)激光脈沖。

如果用于測(cè)量脈沖激光束的輻射，探測(cè)器可以在沒(méi)有斬波器的情況下使用嗎？

美國(guó)optodiode探測(cè)器不需要斬波器。斬波器通常用于調(diào)制信號(hào)源，允許對(duì)信號(hào)進(jìn)行頻段限制放大，從而提高信號(hào)/噪聲比。如果光源已經(jīng)調(diào)制（脈沖激光束），則*使用斬波器。必須注意確保探測(cè)器膠片上的激光功率不足以損壞膠片。此外，要使此應(yīng)用正常工作，脈沖必須在探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間內(nèi)。




optodiode探測(cè)器與不同探測(cè)器材料的比較

正在使用InGaAs陣列，如何切換到PbS陣列。PbS陣列的**效率是多少？

光電探測(cè)器（PbS）不以**效率為特征，因?yàn)閺睦碚撋现v，與InGaAs光伏探測(cè)器不同，它們是完全有效的（**QE）。比較PbS和InGaAs陣列的較好方法是使用檢測(cè)率（D *），這實(shí)際上是歸一化的信噪比。通常，PbS探測(cè)器的檢測(cè)率略**擴(kuò)展的InGaAs光伏探測(cè)器。但是，如果您正在研究較短的波長(zhǎng)（<1.7μm），標(biāo)準(zhǔn)InGaAs的D*值往往**PbS。

PbS/PbSe探測(cè)器的規(guī)格與標(biāo)準(zhǔn)和擴(kuò)展的InGaAs相比如何？（注：這些規(guī)格是近似數(shù)字，為一般比較提供數(shù)據(jù)）


PV=光伏，PC=光電

探測(cè)器的可檢測(cè)性，檢測(cè)率定義為按探測(cè)器面積歸一化的探測(cè)器的信噪比。隨著探測(cè)器溫度的降低，檢測(cè)率增加。請(qǐng)查閱下圖，了解PbS探測(cè)器和PbSe探測(cè)器的檢測(cè)率與溫度的關(guān)系圖。







探測(cè)器的光譜響應(yīng)，光譜響應(yīng)定義了探測(cè)器對(duì)各種波長(zhǎng)輻射的靈敏度。PbS探測(cè)器在1-3μm區(qū)域敏感，PbSe探測(cè)器在1-5.5μm區(qū)域敏感。冷卻探測(cè)器會(huì)將PbS探測(cè)器和PbSe探測(cè)器的光譜響應(yīng)轉(zhuǎn)移到較長(zhǎng)的波長(zhǎng)。標(biāo)準(zhǔn)PbS和PbSe探測(cè)器的典型光譜響應(yīng)如下所示。










探測(cè)器工作溫度如何影響探測(cè)器特性？隨著探測(cè)器工作溫度的降低，檢測(cè)率、響應(yīng)度和光譜響應(yīng)也會(huì)提高。

PbS/PbSe探測(cè)器的典型頻率響應(yīng)是多少？探測(cè)器具有1/f噪聲特性，因此較低的頻率具有較高的噪聲，因此D*值較低。隨著斬波頻率的增加，信號(hào)電平保持相對(duì)恒定，直至達(dá)到探測(cè)器響應(yīng)限值。因此，如果系統(tǒng)沒(méi)有頻段限制噪聲測(cè)量（寬帶放大），則信號(hào)/噪聲（D*）將恒定在響應(yīng)限值以下。如果噪聲讀數(shù)在斬波頻率周?chē)蓄l帶限制，則D*將增加到探測(cè)器響應(yīng)由于其時(shí)間常數(shù)而開(kāi)始滾降的程度。對(duì)于PbSe探測(cè)器，選擇1kHz作為標(biāo)準(zhǔn)斬波頻率，因?yàn)樗h(yuǎn)離1/f噪聲，但**時(shí)間常數(shù)響應(yīng)限值。下圖為PbS/PbSe探測(cè)器典型頻率響應(yīng)的圖表。



optodiode探測(cè)器的偏置電路

對(duì)偏置電路有哪些建議？對(duì)于我們的測(cè)試，我們使用分壓器偏置電路，其負(fù)載電阻設(shè)置為1兆歐或設(shè)置為等于檢測(cè)器暗電阻的電阻。運(yùn)算放大器幾乎可以是具有高輸入阻抗的任何東西。我們推薦使用FET輸入運(yùn)算放大器，其輸入電阻通常約為10^12歐姆，并且工作良好。請(qǐng)參閱我們的探測(cè)器技術(shù)說(shuō)明部分，了解簡(jiǎn)單的測(cè)試偏置電路圖。

負(fù)載電阻值應(yīng)設(shè)置在什么位置？應(yīng)選擇負(fù)載電阻值以匹配探測(cè)器暗電阻。






深圳維爾克斯光電有限公司專(zhuān)注于激光防護(hù)鏡,衍射光學(xué)元件,DOE等, 歡迎致電 18926463275

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 電動(dòng)平移臺(tái)步進(jìn)電機(jī)和直線(xiàn)電機(jī)之間的不同之處

  步進(jìn)電機(jī)和直線(xiàn)電機(jī)都是電動(dòng)位移臺(tái)和顯微鏡電動(dòng)平臺(tái)的主流技術(shù)，直線(xiàn)電機(jī)又稱(chēng)為直流電機(jī)，具有精度較高、重復(fù)性好，速度較快、運(yùn)行較穩(wěn)定的特點(diǎn)。步進(jìn)電機(jī)也稱(chēng)為步進(jìn)馬達(dá)，一般采用傳統(tǒng)的絲杠驅(qū)動(dòng)，技術(shù)成熟，相對(duì)于直線(xiàn)電機(jī)而言，步進(jìn)電機(jī)*，適用于一些對(duì)精度要求沒(méi)有那么高的應(yīng)用。ADR直線(xiàn)電機(jī)載物臺(tái)提供**的長(zhǎng)期可靠性。它們?cè)谝罂量痰母咄掏铝康某上駪?yīng)用中經(jīng)過(guò)數(shù)百萬(wàn)次循環(huán)的現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證。非接觸式電機(jī)和編碼器

• LaserOptik對(duì)大型光學(xué)器件鍍膜技術(shù)

  LASEROPTIK使用專(zhuān)門(mén)的設(shè)備對(duì)大型光學(xué)器件進(jìn)行電介質(zhì)鍍膜，樣品的長(zhǎng)度可達(dá)2米（長(zhǎng)軸為矩形）或直徑為550毫米（圓形），在整個(gè)表面具有**的光譜均勻性和高LIDT值。自動(dòng)超聲波和手動(dòng)清洗程序保證了即使在這些大規(guī)模的幾何形狀上也有較佳的清潔度。下表列出了可能的尺寸。鍍膜技術(shù)矩形長(zhǎng)軸矩形短軸圓形IBS2000mm250mm550mmIAD1200mm100mm350mmEBE940mm80mm50

• 基于Block Engineering**級(jí)聯(lián)激光器的對(duì)生化威脅的非接觸檢測(cè)

  Petros Kotidis, Erik R. Deutsch, Anish Goyal發(fā)表了一篇名為Standoff detection of chemical and biological threats using miniature widely tunable QCLs的文章。文中介紹了，為了應(yīng)對(duì)這種對(duì)防區(qū)外探測(cè)的強(qiáng)烈需求，Block?engineering MEMS，LLC（

• Femtum中紅外納秒光纖激光器對(duì)薄膜加工的應(yīng)用表現(xiàn)

  透明導(dǎo)電薄膜(TCF)廣泛用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。這些薄的導(dǎo)電薄膜在沉積在玻璃、硅或聚合物基板上時(shí)可以帶電。TCF可用作OLED和太陽(yáng)能電池的電極，或者用于您較喜歡的手機(jī)觸摸屏上的導(dǎo)電層。圖1：透明導(dǎo)電膜(TCF)是所有觸摸屏技術(shù)的基礎(chǔ)在TCF中，氧化銦錫(ITO)因其出色的透明度和電氣特性而成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。較近的材料，如氧化石墨烯(GO)或PEDOT，由于它們比ITO較*彎曲，因此在柔性電子產(chǎn)品方面