失效分析FA常用工具介紹

時(shí)間：2018-09-26作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：60

失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對于晶體材料，樣品會引起入射電子束的衍射，會產(chǎn)生；對于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械；俄歇電子（AgerAna 
失效分析常用工具介紹 
透射電鏡（TEM） 
TEM一般被使用來分析樣品形貌（morhology），金相結(jié)構(gòu)（crystallographic strctre）和樣品成分分析。TEM比SEM系統(tǒng)能提供較高的空間分辨率，能達(dá)到納米級的分辨率，通常使用能量為60-350keV的電子束。 
與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子束不同，TEM收集那些穿透樣品的電子。與SEM一樣，TEM使用一個(gè)電子槍來產(chǎn)生一次電子束，通過透鏡和光圈聚焦之后變?yōu)檩^細(xì)小的電子束。 
然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品表面，并被位于樣品之下的探測器收集起來形成影像。 
對于晶體材料，樣品會引起入射電子束的衍射，會產(chǎn)生局部diffraction intensity variations，并能夠在影像上非常清晰的顯現(xiàn)出來。對于無定形材料，電子在穿透這些物理和化學(xué)性質(zhì)都不同的材料時(shí)，所發(fā)生的電子散射情況是不相同的，這就能形成一定的對比在影像觀察到。 
對于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣。樣品制作的好壞直接關(guān)系到TEM能否有效的進(jìn)行觀察和分析，因此，在制樣方面多加努力對于分析者來說也是相當(dāng)必要的工作。 
  
ADVANCED探針臺probe station 
主要用途 
芯片的電路修補(bǔ)、斷面切割、透射電鏡樣品制備。 
應(yīng)用范圍 
1.**切割 
2.穿透式電子顯微鏡試片 
3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證 
4.制程上異常觀察分析 
5.晶相特性觀察分析 
6.故障位置定位用被動電壓反差分析 
  
激光開封機(jī)laser decap 
主要用途 
封裝產(chǎn)品進(jìn)行開封，使chip芯片裸露出來，方便后續(xù)分析（觀察芯片表面、做EMMI、做去層、探針做電信號測量等）。 
I-V曲線跟蹤儀 
主要用途 
驗(yàn)證及量測半導(dǎo)體電子組件之電性 參數(shù)及特性,比如電壓-電流、電容-電壓特性曲線, 
  
漏電微光顯微鏡分析儀EMMI  
  
  
主要用途 
當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時(shí)，產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測器通過顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置，通常這個(gè)位置就是存在異常的缺陷位置。 
  
切割研磨機(jī) 
主要用途 
樣品切割、斷面精細(xì)研磨及拋光 
性能參數(shù) 
1、切割機(jī)： 
a)切割轉(zhuǎn)速：100-975rpm； 
b)鋸片尺寸: *為178毫米，*切割尺寸：38mm； 
2、研磨機(jī)： 
a)無級調(diào)速直流馬達(dá)，恒定的轉(zhuǎn)數(shù)和扭矩； 
b)磨拋頭可實(shí)現(xiàn)半自動磨拋； 
c)應(yīng)用磁性盤系統(tǒng), 可方便快捷更換不同粒度砂紙/磨盤/拋光布； 
d)磨盤直徑：200mm或250mm； 
磨盤轉(zhuǎn)速：10-500 轉(zhuǎn)/分鐘； 
  
應(yīng)用范圍 
主要應(yīng)用在芯片工藝分析，失效點(diǎn)的查找及芯片剝層等方面的樣片制備。該設(shè)備可以對樣片進(jìn)行冷埋注塑、切割、精細(xì)研磨及拋光。 
  
掃描聲學(xué)顯微鏡 
集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械完整性.由于不良鍵合、孔隙、微裂痕或?qū)娱g剝離而造成的結(jié)構(gòu)缺陷可能不會給電性能特性帶來明顯的影響,但卻可能造成早期失效.C模式掃描聲學(xué)顯微鏡(C—SAM)是進(jìn)行IC封裝非破壞性失效分析的較佳工具,可為關(guān)鍵的封裝缺陷提供一個(gè)快速、全面的成象.并能確定這些缺陷在封裝內(nèi)的三維方位.這一C—SAM系統(tǒng)已經(jīng)在美國馬里蘭州大學(xué)用于氣密性(陶瓷)及非氣密性(塑料)IC封裝的可靠性試驗(yàn)。它在塑料封裝常見的生產(chǎn)缺陷如:封裝龜裂、葉片移位、外來雜質(zhì)、多孔性、鈍化層龜裂、層間剝離、切斷和斷裂等方面表現(xiàn)出 
  
俄歇電子（Ager Analysis ） 
是一種針對樣品表面進(jìn)行分析的失效分析技術(shù)。Ager Electron Spectroscopy 和Scanning Ager Microanalysis（微量分析） 是兩種Ager Analysis 技術(shù)。這兩種技術(shù)一般用來確定樣品表面某些點(diǎn)的元素成分，一般采取離子濺射的方法（ion spttering），測量元素濃度與樣品深度的函數(shù)關(guān)系。Ager depth可以被用來確定沾污物以及其在樣品中的所在未知。它還可以用來分析氧化層的成分（composition of oxide layers），檢測A－Al鍵合強(qiáng)度以及其他諸如此類的。 
與EDX或EDX的工作原理基本類似。先**一次電子來轟擊樣品表面，被撞擊出來的電子處于一個(gè)比較低的能量等級（low energy levels）。而這些能級較低的空能帶就會*被那些能量較高的電子占據(jù)。而這個(gè)電子躍遷過程就會產(chǎn)生能量的輻射，也會導(dǎo)致Ager electrons（俄歇電子）的**。所**的俄歇電子的能量恰好與所輻射出的能量相一致。一般俄歇電子的能量為50-2400ev之間。 
在Ager Analysis 中所使用的探測系統(tǒng)一般要測量每一個(gè)**出的俄歇電子。然后系統(tǒng)根據(jù)電子所帶的能量不同和數(shù)量做出一個(gè)函數(shù)。函數(shù)曲線中的峰一般就代表相應(yīng)的元素。 
FTIR Spectroscopy（Forier Transform Infrared） 
FTIR顯微觀察技術(shù)是一種可以提供化學(xué)鍵合以及材料的分子結(jié)構(gòu)的相關(guān)信息的失效分析技術(shù)，不論對象是**物還是無機(jī)物。通常被用來確定樣品表面的未知材料，一般是用作對EDX分析的補(bǔ)充。 
這套系統(tǒng)的工作原理是基于不同物質(zhì)中的鍵或鍵組（bonds and grops of bonds）都有自身固定的特征頻率（characteristic freqency）。不同的分子，當(dāng)暴露在紅外線照射之下時(shí)，會吸收某一固定頻率（即能量）的紅外線，而這個(gè)固定頻率是由分子的本身特性決定。樣品**和反射的不同頻率的紅外線會被轉(zhuǎn)換成為許多能量峰（peaks）的組合。*根據(jù)由FTIR得到的能譜圖（spectral pattern）進(jìn)行分析來進(jìn)行確定是那種物質(zhì)。 
與SEM和EDX分析不同的是FTIR顯微鏡不需要真空泵，因?yàn)檠鯕夂偷獨(dú)舛疾晃占t外線。FTIR分析可以針對較少量的材料進(jìn)行，樣品可以是固態(tài)、液態(tài)或者氣態(tài)。當(dāng)FTIR頻譜與庫里的所有資料都不匹配時(shí)，可以分別對頻譜中的peak進(jìn)行分析來確定樣品的部分信息。 無損檢測技術(shù)--SAM 
將scanning acostic microscope(SAM)用于IC的封裝掃描檢測，可以在不損傷封裝的情況發(fā)現(xiàn)封裝的內(nèi)部缺 
陷。由于在很多時(shí)候不能打開封裝來檢查，即使打開很可能原來的缺陷已經(jīng)被破壞。利用超聲波的透射、反射特性可以很好解決這個(gè)問題。超聲波在不同介質(zhì)中的傳播速率不同，在兩種界面的交界處會發(fā)生反射現(xiàn)象。反射的程度用反射率來衡量，用R來表示。每種材料還 
有自己的固有特性，波阻抗，用Z來表示。波阻抗由材料的密度和超聲波在該材料中的傳播速度決定，他們間的關(guān)系：Z—pV。當(dāng)超聲波通過兩種介質(zhì)的交界面時(shí)，其反射率R由這兩種介質(zhì)的波阻抗決定，R( )一( 一Z ／ +Z )×100。當(dāng)波從波阻抗小的介質(zhì)向波阻抗大的介質(zhì)傳播時(shí)，即Z2>z ，這時(shí)反射率R>0。當(dāng)波從波阻抗大的介質(zhì)向波阻抗小的介質(zhì)傳播時(shí)，即Z2 
X射線能譜儀 
主要由半導(dǎo)體探測器及多道分析器或微處理機(jī)組成（圖3），用以將在電子束作用下產(chǎn)生的待測元素的標(biāo)識 X射線按能量展譜(圖4)。X射線光子由硅滲鋰 Si(Li)探測器接收后給出電脈沖信號。由于X射線光子能量不同,產(chǎn)生脈沖的高度也不同，經(jīng)放大整形后送入多道脈沖高度分析器，在這里，按脈沖高度也就是按能量大小分別入不同的記數(shù)道，然后在X-Y記錄儀或顯像管上把脈沖數(shù)-脈沖高度（即能量）的曲線顯示出來。圖4就是一個(gè)含釩、鎂的硅酸鐵礦物的 X射線能譜圖，縱坐標(biāo)是脈沖數(shù),橫坐標(biāo)的道數(shù)表示脈沖高度或X射線光子的能量。X射線能譜儀的分辨率及分析的精度不如根據(jù)波長經(jīng)晶體分析的波譜儀,但是它沒有運(yùn)動部件,適于裝配到電子顯微鏡中，而且探測器可以直接插到試樣附近，接受X射線的效率很高，適于很弱的X射線的檢測。此外，它可以在一、二分鐘內(nèi)將所有元素的 X射線譜同時(shí)記錄或顯示出來。X射線能譜儀配到掃描電子顯微鏡上,可以分析表面凸凹不平的斷口上的*二相的成分；配到透射電子顯微鏡上可以分析薄膜試樣里幾十埃范圍內(nèi)的化學(xué)成分,如相界、晶界或微小的*二相粒子。因此X射線能譜儀目前已在電子顯微學(xué)中得到廣泛應(yīng)用。 
X 射線能譜分析的一個(gè)較大弱點(diǎn)是目前尚不能分析原子序數(shù)為11(Na)以下的輕元素，因?yàn)檫@些元素的標(biāo)識X射線波長較長,*為半導(dǎo)體探測器上的鈹窗所吸收。目前正在試制無鈹窗及薄鈹窗的探測器，目的是檢測碳、氮、氧等輕元素。 電子顯微鏡(掃描電鏡、透射電鏡、SEM、TEM)相關(guān)參數(shù) ·樣品減薄技術(shù) 
復(fù)型技術(shù)只能對樣品表面性貌進(jìn)行復(fù)制，不能揭示晶體內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)信息，受復(fù)型材料本身 
尺寸的限制，電鏡的高分辨率本領(lǐng)不能得到充分發(fā)揮，萃取復(fù)型雖然能對萃取物相作結(jié)構(gòu)分析，但對基體組織仍是表面性貌的復(fù)制。在這種情況下，樣品減薄技術(shù)具有許多特點(diǎn)，特別是金屬薄膜樣品：可以*有效地發(fā)揮電鏡的高分辨率本領(lǐng)；能夠觀察金屬及其合金的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和晶體缺陷，并能對同一微區(qū)進(jìn)行衍襯成像及電子衍射研究，把性貌信息于結(jié)構(gòu)信息聯(lián)系起來；能夠進(jìn)行動態(tài)觀察，研究在變溫情況下相變的生核長大過程，以及位錯(cuò)等晶體缺陷在引力下的運(yùn)動與交互作用。 表面復(fù)型技術(shù) 
謂復(fù)型技術(shù)就是把金相樣品表面經(jīng)浸蝕后產(chǎn)生的顯微組織浮雕復(fù)制到一種很薄的膜上，然后把復(fù)制膜（叫做“復(fù)型”）放到透射電鏡中去觀察分析，這樣才使透射電鏡應(yīng)用于顯示金屬材料的顯微組織有了實(shí)際的可能。 用于制備復(fù)型的材料必須滿足以下特點(diǎn)： 本身必須是“無結(jié)構(gòu)”的（或“非晶體”的），也就是說，為了不干擾對復(fù)制表面形貌的觀察，要求復(fù)型材料即使在高倍（如十萬倍）成像時(shí)，也不顯示其本身的任何結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。 必須對電子束足夠透明（物質(zhì)原子序數(shù)低）； 必須具有足夠的強(qiáng)度和剛度，在復(fù)制過程中不致破裂或畸變； 必須具有良好的導(dǎo)電性，耐電子束轟擊； *是分子尺寸較小的物質(zhì)---分辨率較高。 電子顯微鏡(掃描電鏡、透射電鏡)相關(guān)參數(shù)(二) ·俄歇電子 
如果原子內(nèi)層電子能級躍遷過程中釋放出來的能量不是以X射線的形式釋放而是用該能量將核外另一電子打出，脫離原子變?yōu)槎坞娮樱@種二次電子叫做俄歇電子。因每一種原子都由自己特定的殼層能量，所以它們的俄歇電子能量也各有特征值，能量在50-1500eV范圍內(nèi)。俄歇電子是由試樣表面較有限的幾個(gè)原子層中發(fā)出的，這說明俄歇電子信號適用與表層化學(xué)成分分析。 ·特征X射線 
特征X射線試原子的內(nèi)層電子受到激發(fā)以后在能級躍遷過程中直接釋放的具有特征能量和波長的一種電磁波輻射。 X射線一般在試樣的500nm-5m m深處發(fā)出。 ·二次電子 
二次電子是指背入射電子轟擊出來的核外電子。由于原子核和外層價(jià)電子間的結(jié)合能很小，當(dāng)原子的核外電子從入射電子獲得了大于相應(yīng)的結(jié)合能的能量后，可脫離原子成為自由電子。如果這種散射過程發(fā)生在比較接近樣品表層處，那些能量大于材料逸出功的自由電子可從樣品表面逸出，變成真空中的自由電子，即二次電子。二次電子來自表面5-10nm的區(qū)域，能量為0-50eV。它對試樣表面狀態(tài)非常敏感，能有效地顯示試樣表面的微觀形貌。由于它發(fā)自試樣表層，入射電子還沒有被多次反射，因此產(chǎn)生二次電子的面積與入射電子的照射面積沒有多大區(qū)別，所以二次電子的分辨率較高，一般可達(dá)到5-10nm。掃描電鏡的分辨率一般就是二次電子分辨率。二次電子產(chǎn)額隨原子序數(shù)的變化不大，它主要取決與表面形貌。 


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• 手動探針測試

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• 失效分析實(shí)驗(yàn)室選擇

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