微光顯微鏡技術(shù)介紹

時間：2018-06-26作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：92

儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡，失效分析設(shè)備，失效分析實驗室建設(shè)
就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言，微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。 
  
舉例說明：在P-N 結(jié)加偏壓，此時N阱的電子很*擴散到P阱，而P的空穴也*擴散至N然後與P端的空穴（或N端的電子）做 EHP Recombination。 
故障分析微光顯微鏡，失效分析設(shè)備，失效分析實驗室建設(shè) 
偵測得到亮點之情況： 
會產(chǎn)生亮點的缺陷 - 漏電結(jié)（Junction Leakage）; 接觸毛刺（Contact spiking）; （熱電子效應(yīng)）Hot electrons;閂鎖效應(yīng)（ Latch-Up）;氧化層漏電（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶須（Poly-silicon filaments）; 襯底損傷（Substrate damage）; （物理損傷）Mechanical damage等。 
ADVANCEDYI儀準(zhǔn)科技*的用于實驗室高精度電流異常失效分析，位置確認。 
原有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。 
 
偵測不到亮點之情況： 
不會出現(xiàn)亮點的故障 - 歐姆接觸；金屬互聯(lián)短路；表面反型層；硅導(dǎo)電通路等。 
亮點被遮蔽之情況 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，這種情況可以采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。 
 
OBIRCH（光束誘導(dǎo)電阻變化） 
光誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）模式能快速準(zhǔn)確的進行IC中元件的短路、布線和通孔互聯(lián)中的空洞、金屬中的硅沉積等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉(zhuǎn)化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無法*通過金屬線傳導(dǎo)散開，這將導(dǎo)致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對應(yīng)，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其測試精度可達nA級。 
PEM（Photo Emission Microscope) 
光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與光**（EMMI）常見集成在一個檢測系統(tǒng)，合稱PEM（Photo Emission Microscope)，兩者互為補充，能夠很好的應(yīng)對絕大多數(shù)失效模式。 
EMMI (Enhanced Man Machine Interface) 加強版人機交互界面，可以實現(xiàn)半導(dǎo)體元器件精準(zhǔn)測量。 


儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司專注于手動探針臺,probe,station等

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