芯片廠用開封方法介紹

時(shí)間：2020-04-14作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：157

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析案例介紹

  一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡（發(fā)白）。 3、形狀多為條狀或塊狀。 ４、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 ５、從切片上看，圖電層會(huì)包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮；有時(shí)成鋸齒狀 2、通常

• FIB技術(shù)在失效中應(yīng)用

  FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過程中的應(yīng)用介紹： 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，

• 半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

  半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日（周六） 題 目: 芯片流片前的物理驗(yàn)證 簡(jiǎn) 介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs； 時(shí) 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時(shí) 間 : 11:00-11:10 題 目：芯片失效分析方法及流程 簡(jiǎn) 介：失效分析方法； 失效分析流程； 失效分析案例； 失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹。 分享時(shí)長：45分鐘 主 講人：趙俊紅就職于科委檢測(cè)中心，集成電

• 芯片失效分析常用方法

  一：X-RAY檢查 1，X-RAY含義： X-RAY射線又稱倫琴射線，一種波長很短的電磁輻射，由德國物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。一般指電子能量發(fā)生很大變化時(shí)放出的短波輻射，能透過許多普通光不能透過的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀，可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹脂體內(nèi)氣孔情況，以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡，導(dǎo)電膠的分布范圍情況。 2，X-RAY檢查原則 不良情況 原因或責(zé)任者 球脫 組裝