芯片開封方法:激光開封


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  • 芯片失效分析方法匯總

    失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學(xué)分析等 失效分析的意義:分析機(jī)械零器件失效原因,為事故責(zé)任認(rèn)定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責(zé)任、保險業(yè)務(wù)

  • 微光顯微鏡技術(shù)介紹

    儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡,失效分析設(shè)備,失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè) 就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言,微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。 舉例說明:在P-N 結(jié)加偏壓,此時N阱的電子很*擴(kuò)散到P阱,而P的空穴也*擴(kuò)散至N然後與P端的

  • 聚焦離子束顯微鏡科普

    聚焦離子束顯微鏡科普 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

  • FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

    聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離

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