FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

時(shí)間：2020-04-15作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：133

聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo)
一、技術(shù)指標(biāo)
1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA；
2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式
3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)
4、大束流Sidewinder離子鏡筒；
5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；
6、離子束束流1.5pA-65nA，15孔光闌。

二、配置情況
1、GIS氣體注入：Pt沉積
2、ETD SE、T1（筒內(nèi)低位）、T（高位）探頭
3、Nav-camTM：樣品室內(nèi)光學(xué)導(dǎo)航相機(jī)
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自動(dòng)拼圖、NanoBuilder納米加工軟件。

三、適用樣品
半導(dǎo)體、金屬、陶瓷材料微納加工及觀察分析，成分分析

四、檢測(cè)內(nèi)容
1、IC芯片電路修改
2、Cross-Section 截面分析
3、Probing Pad
4、FIB微納加工
5、材料鑒定
6、EDX成分分析

五、設(shè)備簡(jiǎn)介
FEI Scios 2 DualBeam系統(tǒng)在Scios系統(tǒng)的基礎(chǔ)上進(jìn)行了升級(jí)，較加適用于金屬、復(fù)合材料和涂層，特點(diǎn)是適用磁性樣品、借助漂移抑制對(duì)不導(dǎo)電的樣品可以進(jìn)行操作、Trinity檢測(cè)套件可同步檢測(cè)材料、形態(tài)和邊緣對(duì)比對(duì)度，大大提高效率、軟件可以實(shí)現(xiàn)三維數(shù)據(jù)立方體分析金屬中夾雜物大小和分布、*有的工作流模式，可以設(shè)定程序，降低操作員的難度。在**大樣品倉(cāng)中集成了大尺寸的五軸電動(dòng)樣品臺(tái)，XY軸具有110mm移動(dòng)范圍，Z方向具有85mm升降空間。


儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司專注于手動(dòng)探針臺(tái),probe,station等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

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• 樣品失效分析具體操作

  1.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。判斷失效的模式，查找失效原因和機(jī)理，提出預(yù)防再失效的對(duì)策的技術(shù)活動(dòng)和管理活動(dòng)稱為失效分析。 1.2 失效和事故 失效與事故是緊密相關(guān)的兩個(gè)范疇，事故強(qiáng)調(diào)的是后果，即造成的損失和危害，而失效強(qiáng)調(diào)的是機(jī)械產(chǎn)品本身的功能狀態(tài)。失效和事故常常有一定的因果關(guān)系，但兩者沒(méi)有必然的聯(lián)系。 1.3 失效和可靠 失效是可靠的反義詞。機(jī)電產(chǎn)品的可靠度R(t）是指時(shí)間

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