半導(dǎo)體分析樣品制備

    失效分析樣品準(zhǔn)備:
    失效分析 趙工?半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試?1月6日
    失效分析樣品準(zhǔn)備:
    失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié),無論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。
    常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對(duì)外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下:
    一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開封要求(若在pcb板上,較好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會(huì)影響對(duì)芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。
    1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等
    2.樣品減?。ㄌ沾桑饘俪猓?
    3.激光打標(biāo)
    4.芯片開封(正面/背面)
    5.IC蝕刻,塑封體去除
    二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重點(diǎn)觀察區(qū)域,精度。
    1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板
    2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況
    3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝
    缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷
    三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。
    1.Open/Short Test
    2.I/V Curve Analysis
    3.Idd Measuring
    4.Powered Leakage(漏電)Test
    四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開封,特殊要求等,EMMI是加電測(cè)試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒有適合的源表,可以自帶,避免做無用功。
    1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰
    2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
    3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)
    4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、
    Hot Carriers Effect、ESD等問題
    五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的,標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。
    
    1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證
    2.Cross-Section截面分析
    3.Probing Pad
    4.**切割
    六、SEM:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。
    1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察
    2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析
    3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析
    4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示
    七、EDX:寫清樣品尺寸,材質(zhì),EDX是定性分析,能看到樣品的材質(zhì)和大概比例,適合金屬元素分析。
    1.微區(qū)成分定性分析
    八、Probe:寫清樣品測(cè)試環(huán)境要求,需要搭配什么源表,使用什么探針,一般有硬針和軟針,軟針較細(xì),不易對(duì)樣品造成二次損傷。
    1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出
    2.失效分析失效確認(rèn)
    3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn)
    4.晶圓可靠性驗(yàn)證
    九、OM:寫清樣品情況,對(duì)放大倍率要求。OM屬于表面觀察,看不到內(nèi)部情況。
    1.樣品外觀、形貌檢測(cè)
    2.制備樣片的金相顯微分析
    3.各種缺陷的查找
    4.晶體管點(diǎn)焊、檢查
    十、RIE:寫清樣品材質(zhì),需要看到的區(qū)域。
    1.用于對(duì)使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢
    2.器件表面圖形的刻蝕?

    儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司專注于手動(dòng)探針臺(tái),probe,station等

  • 詞條

    詞條說明

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