X光無(wú)損檢測(cè) 祝大家新年快樂(lè),2020年注定是不平凡的一年,在艱難中開(kāi)始,感恩奮戰(zhàn)在抗疫*的白衣天使,感恩提供**的各級(jí)**,感恩社會(huì)各界的愛(ài)心人士,目前我們對(duì)社會(huì)較好的回報(bào)就是做好本職工作,隔離好自己和身邊的人,多做事,少走動(dòng)。 新新冠狀病毒的到來(lái),讓很多原本的計(jì)劃被打亂被改動(dòng),目前北方市場(chǎng)急需完善的第三方實(shí)驗(yàn)室,專(zhuān)業(yè)的技術(shù),成套的檢測(cè)設(shè)備,為滿(mǎn)足用戶(hù)檢測(cè)多樣化,就近服務(wù)的要求,我中心專(zhuān)門(mén)安裝了高精度x-ray檢測(cè)設(shè)備,目前X-ray(X光無(wú)損檢測(cè))已經(jīng)全面對(duì)外服務(wù),機(jī)時(shí)充足。 X-ray是什么? X-ray是利用陰極射線(xiàn)管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊,在撞擊過(guò)程中,因電子突然減速,其損失的動(dòng)能會(huì)以X-Ray形式放出。而對(duì)于樣品無(wú)法以外觀方式觀測(cè)的位置,利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強(qiáng)度的變化,產(chǎn)生的對(duì)比效果可形成影像,即可顯示出待測(cè)物的內(nèi)部結(jié)構(gòu),進(jìn)而可在不破壞待測(cè)物的情況下觀察待測(cè)物內(nèi)部有問(wèn)題的區(qū)域。 X-ray能做什么事? 高精度X-ray是無(wú)損檢測(cè)重要方法,失效分析常用方式,主用應(yīng)用領(lǐng)域有: 1. 觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝 的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2. 觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線(xiàn)情況 3. 觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線(xiàn)、搭線(xiàn)、內(nèi)部氣泡等封裝 缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 X-ray(X光無(wú)損檢測(cè))招募范圍: 1. 境內(nèi)外企事業(yè)單位,團(tuán)體,個(gè)人均可。 產(chǎn)品研發(fā),樣品試制,失效分析,過(guò)程監(jiān)控和大批量產(chǎn)品觀測(cè)。 X-ray(X光無(wú)損檢測(cè))招募要求: 1. 方案完整,清晰,明確。寫(xiě)清樣品情況,數(shù)量,測(cè)試要求。 樣品小于30cm。 X-ray(X光無(wú)損檢測(cè))招募時(shí)間: 2020年2月3日-2020年8月8日。 樣品以收到時(shí)間為準(zhǔn),方案以郵件時(shí)間為準(zhǔn)。 X-ray(X光無(wú)損檢測(cè))注意事項(xiàng): 1. 受樣品本身,方案,設(shè)備,操作,經(jīng)驗(yàn),運(yùn)輸,時(shí)效等多方面因素影響,X-ray不保證每個(gè)方案都能找到原因,對(duì)結(jié)果要求苛刻的用戶(hù)請(qǐng)不要參與。 2. X-ray(X光無(wú)損檢測(cè))所需周期一個(gè)工作日左右。測(cè)試完成的方案會(huì)**時(shí)間反饋給用戶(hù),并安排快遞送回樣品。
詞條
詞條說(shuō)明
半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子,一個(gè)是尺寸縮小,另一個(gè)是硅片直徑增大,顯然尺寸縮小是主力,因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外,利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起,將開(kāi)辟定律的另一片新的天地。 臺(tái)積電正討論在美國(guó)開(kāi)建2納米工廠(chǎng)事項(xiàng),目前的態(tài)勢(shì)分析這個(gè)決定不好下,因?yàn)槭袌?chǎng)與投資(可能約500億美元)兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺(tái)地區(qū)《經(jīng)濟(jì)
失效分析技術(shù),失效分析實(shí)驗(yàn)室,失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過(guò)程。此過(guò)程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí),通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí),常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法,構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品
《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱,以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來(lái)
半導(dǎo)體技術(shù)公益課:有需要線(xiàn)上分享可以安排時(shí)間講您擅長(zhǎng)的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話(huà)題 時(shí)長(zhǎng)不限 名稱(chēng):半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時(shí)間:每周五下午5-7點(diǎn) 時(shí)長(zhǎng):不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來(lái)題目,框架,時(shí)長(zhǎng),個(gè)人簡(jiǎn)介,協(xié)調(diào)好時(shí)間后即可安排。 想做線(xiàn)上分享的,可以聊您擅長(zhǎng)的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話(huà)題,時(shí)長(zhǎng)不限 IC失效分析實(shí)驗(yàn)室 北軟檢測(cè)智能產(chǎn)品檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室于2015年底實(shí)施運(yùn)營(yíng)
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