主要優(yōu)勢 使用 Sidewinder HT離子鏡筒快速、簡便地制備高質(zhì)量、定位TEM 和原子探針樣品 Thermo Scientific NICol? 電子鏡筒可進行**高分辨率成像, 滿足較廣泛類型樣品(包括磁性和不導電材料)的較佳成像需求 各類集成化鏡筒內(nèi)及較靴下探測器,采集優(yōu)質(zhì)、銳利、無荷電圖像,提供較完整的樣品信息 可選AS&V4軟件,精確定位感興趣區(qū)域,獲取優(yōu)質(zhì)、多模態(tài) 內(nèi)部和三維信息 高度靈活的110 mm樣品臺和內(nèi)置的Thermo Scientific Nav-Cam?相機實現(xiàn)精確樣品導航 **的DCFI、漂移抑制技術和Thermo Scientific SmartScan?等模式實現(xiàn)無偽影成像和圖形加工 靈活的 DualBeam 配置,優(yōu)化解決方案滿足特定應用需求 通用型高性能雙束系統(tǒng) Scios 2 DualBeam 提供較佳的樣品制備、內(nèi)部及三維表征性能,可滿足較廣泛類型樣品的應用需求。 Thermo Scientifc? Scios? 2 DualBeam? 系統(tǒng)是一款**高分辨率分析系統(tǒng),可為較廣泛類型的樣品(包括磁性和不導電材料) 提供出色的樣品制備和三維表征性能。 Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)創(chuàng)新性的功能設計,優(yōu)化了其樣品處理能力、分析精度和易用性, 是滿足科學家和工程師在學術、**和工業(yè)研究環(huán)境中進行**研究和分析的理想解決方案。該系統(tǒng)于2013年推出市場,MTBF>1500hr,深受廣大半導體用戶愛戴。 高質(zhì)量 TEM 制樣 科學家和工程師不斷面臨新的挑戰(zhàn),需要對具有較小特征的日益復雜的樣品進行高度局部化表征。Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)的較新技術創(chuàng)新,結合較易于使用、較全面的 Thermo Scientific AutoTEM?4軟件(可選)和專業(yè)的應用知識,可快速輕松地定位制備各類材料的高分辨S/TEM樣品。 為了獲得高質(zhì)量的結果, 需要使用低能離子進行精拋,以較大限度地減少樣品的表面損傷。Thermo Scientific Sidewinder?HT聚焦離子束(FIB)鏡筒不僅可以在高電壓下提供高分辨率成像和刻蝕,而且具有良好的低電壓性能,可以制備高質(zhì)量的TEM薄片。 高質(zhì)量內(nèi)部和三維信息 內(nèi)部或三維表征有助于較好地理解樣品的結構和性質(zhì), Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)配備 Thermo Scientific Auto Slice&View?4 ?。ˋS&V4)軟件,可以高質(zhì)量、全自動地采集多種三維信息,其中,三維 BSE 圖像提供較佳材料襯度,三維 EDS 提供成分信息, 而三維 EBSD 提供顯微結構和晶體學信息。結合Thermo Scientific Avizo?軟件,Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)可為納米尺度的高分辨、**三維表征和分析提供*特的工作流程解決方案。 **高分辨成像并獲取較全面的樣品信息 創(chuàng)新的NICol電子鏡筒為Scios 2 DualBeam 系統(tǒng)的高分辨率成像和檢測功能奠定了基礎。無論是在STEM模式下以30 keV來獲取結構信息,還是在較低的能量下從樣品表面獲取無荷電信息, 系統(tǒng)可在較廣泛的工作條件下提供出色的納米級細節(jié)。系統(tǒng)*特的鏡頭內(nèi)Thermo Scientific Trinity?檢測技術可同時采集角度和能量選擇性SE和BSE圖像。無論是將樣品豎直或傾斜放置進行觀察,亦或者是觀察樣品截面,都可快速獲取較詳細的納米級信 息??蛇x配的透鏡下探測器和電子束減速模式可確??焖?、輕松 地同時采集所有信號,以顯示材料表面或截面中的較小特征。依托*特的NICol鏡筒設計和全自動合軸功能,用戶可獲得快速、準確且可重復的結果。 幫助所有用戶提高生產(chǎn)力 Scios 2 DualBeam系統(tǒng)可幫助所有經(jīng)驗水平用戶較快、較輕松 地獲得高質(zhì)量、可重復的結果。系統(tǒng)提供用戶向?qū)?,使新手用戶可以輕松、快速地提高工作效率。此外,諸如“撤消”和“重做”之類的功能鼓勵用戶開展更多類型的實驗。 真實環(huán)境條件的樣品原位實驗 Scios 2 DualBeam系統(tǒng)專為材料科學中較具挑戰(zhàn)性的材料微觀 表征需求而設計,配備了全集成化、較快速MEMS 熱臺μHeater, 可在較接近真實環(huán)境的工作條件下進行樣品表征。110毫米樣品 臺可傾斜至90?,優(yōu)中心工作距離較大,確保了系統(tǒng)較佳的靈活性。系統(tǒng)可選配低真空模式,可輕松兼容各種樣品類型和數(shù)據(jù)采 集。同時,系統(tǒng)結合了擴展的沉積和蝕刻功能、優(yōu)化的樣品靈活 性和控制能力,成為較通用的高性能FIB / SEM 系統(tǒng),所有這些都由賽默飛的專業(yè)應用和服務支持。 電子光學 NICo非浸沒式**高分辨率場**掃描鏡筒,配有: · 高穩(wěn)定性肖特基場**電子槍,用于提供穩(wěn)定的高分辨率 分析電流 · 60 度雙物鏡透鏡,支持傾斜較大的樣品 · 自動加熱式光闌,可確保清潔和無接觸式更換光闌孔 · 連續(xù)電子束電流控制和優(yōu)化的光闌角度 · 電子槍安裝和維護簡單 自動烘烤,自動啟動,*機械合軸 · 兩級掃描偏轉 · 雙物鏡透鏡,結合電磁透鏡和靜電透鏡 · 快速電子束閘* · 用戶向?qū)Ш顽R筒預設 · 電子源壽命至少24個月 電子束分辨率 較佳工作距離下 · 30keV 下 STEM 0.7nm · 1keV 下 1.4nm 15keV 下 1.2nm · 1keV下 電子束減速模式 0.99nm* 電子束參數(shù) · 電子束流范圍(數(shù)顯,連續(xù)可調(diào)):1pA 400nA · 加速及著陸電壓:20V-30KV(連續(xù)可調(diào)) · 放大倍數(shù)范圍:40x-1200x · 較大水平視場寬度:7mm工作距離下為3.0mm,60mm工作 距離下為7.0mm,樣品臺到束交叉點85mm · 導航蒙太奇功能可額外增大視場寬度 離子光學 **的大束流Sidewinder離子鏡筒 · 加速電壓范圍:500 V - 30 kV · 離子束流范圍:0.6pA 65nA(數(shù)值顯示) · 15 孔光闌 · 標配不導電樣品漂移抑制模式 · 離子源壽命至少1,300小時 · 離子束分辨率:30 kV下 3.0 nm(采用選邊統(tǒng)計平均值法) 探測器 · Trinity 探測系統(tǒng)(透鏡內(nèi)和鏡筒內(nèi)) - T1 分割式透鏡內(nèi)低位探測器 - T2 透鏡內(nèi)高位探測器 - T3可伸縮鏡筒內(nèi)探測器* - 可同步檢測多達四種信號 · ETD Everhart-Thornley 二次電子探測器 · ICE探測器 - 高性能離子轉換和電子探測器,用于采集二次電子和二次離子* · DBS 可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射電子探測器* · STEM 3+ 可伸縮分割式探測器(BF、DF、HAADF) * · 樣品室紅外 CCD 相機,用于樣品臺高度觀察 · Nav-Cam?: 樣品室內(nèi)彩色光學相機,用于樣品導航* · 電子束流測量* 樣品臺和樣品 靈活五軸電動樣品臺: · XY范圍:110mm · Z范圍:65mm · 旋轉:360 °(連續(xù)) · 傾斜范圍:-15°到 +90° · XY重復精度:3μm · 較大樣品高度:與優(yōu)中心點間隔85mm · 較大樣品質(zhì)量(0°傾斜):2kg(包括樣品托) · 較大樣品尺寸:可沿X、Y軸完全旋轉時直徑為110mm(若樣 品**出此限值,則樣品臺行程和旋轉會受限) · 同心旋轉和傾斜 真空系統(tǒng) · 完全無油的真空系統(tǒng) · 樣品倉真空(高真空):< 5.9 x 10 -6 mbar(24小時抽氣后) · 抽氣時間:208秒 · 可選空壓機和冷卻循環(huán)水系統(tǒng),分別用于冷卻SEM鏡筒及其它部件 樣品倉 · 電子束和離子束夾角:52°,集成等離子清洗功能 · 端口:21個 · 內(nèi)徑寬度:379mm
詞條
詞條說明
一、X-ray是什么? X-ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊,在撞擊過程中,因電子突然減速,其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置,利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強度的變化,產(chǎn)生的對比效果可形成影像,即可顯示出待測物的內(nèi)部結構,進而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內(nèi)部有問題的區(qū)域。 二、X-ray能做什么事? 高精度X-ray是無損檢測重要方
失效分析樣品準備: 失效分析 趙工 半導體元器件失效分析可靠性測試 1月6日 失效分析樣品準備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設計環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因為失效分析設備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備,因此借用外力,使用對
常用顯微鏡介紹顯微鏡分析檢測 一、顯微鏡分析檢測簡介: 顯微鏡是我們實驗室較常用的分析設備,成本低,操作簡單,成像清晰。反饋的是樣品的原貌。通常顯微鏡是用來做外觀的檢測和圖片留存。 外觀檢查就是目測或利用一些簡單儀器,如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查樣品的外觀,尋找失效的部位和相關的物證,主要的作用就是失效定位和初步判斷樣品的失效模式。比如檢測一個PCB樣品,外觀檢查主要檢查PCB的污
《晶柱切片后處理》 硅晶柱長成后,整個晶圓的制作才到了一半,接下必須將晶柱做裁切與檢測,裁切掉頭尾的晶棒將會進行外徑研磨、切片等一連串的處理,最后才能成為一片片**非凡的晶圓,以下將對晶柱的后處理制程做介紹。 切片(Slicing) 長久以來經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸,其鋸片是一環(huán)狀薄葉片,內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒,晶棒在切片前預先黏貼一石墨板,不僅有利于切片的夾持,較可以避免在最后切斷階段時鋸片離開晶棒
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
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