半導體材料是半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),它融合了當代眾多學科的**成果,在半導體制造技術(shù)不斷升級和產(chǎn)業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展中扮演著重要角色。半導體技術(shù)每前進一步都對材料提出新的要求,而材料技術(shù)的每一次發(fā)展也都為半導體新結(jié)構(gòu)、新器件的開發(fā)提供了新的思路。2019年,國內(nèi)半導體材料在各方共同努力下,部分中**領(lǐng)域**可喜突破,國產(chǎn)化進一步提升。 行業(yè)整體影響下,市場規(guī)模小幅下滑 受行業(yè)整體不景氣影響,2019年**半導體材料市場營收下滑顯著,但下降幅度**整體半導體產(chǎn)業(yè)。據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2019年**半導體材料整體市場營收483.6億美元(約合人民幣3430.7億元),同比2018年的519.4億美元下降6.89%。 從材料的區(qū)域市場分布來看,中國閩臺地區(qū)是半導體材料較大區(qū)域市場,2019年市場規(guī)模達114.69億美元;中國大陸市場規(guī)模81.90億美元(約合人民幣581.5億元);韓國市場規(guī)模76.12億美元。 ?來源:CEMIA 從晶圓制造材料與封裝材料來看,2019年**半導體晶圓制造材料市場規(guī)模293.19億美元,同比2018年的321.56億美元下降8.82%;2019年**半導體晶圓封裝材料市場規(guī)模190.41億美元,同比2018年的197.43億美元下降3.56%。 2019年中國半導體材料市場規(guī)模81.90億美元,同比2018年的84.92億美元下降3.56%,其中晶圓制造材料市場規(guī)模27.62億美元,同比2018年的28.17億美元下降1.95%;封裝材料市場規(guī)模54.28億美元,同比2018年的56.75億美元下降4.35%。 2019年7月22日,科創(chuàng)板首批公司上市。安集微電子作為國內(nèi)CMP拋光液**,成為首批登陸科創(chuàng)板的25家企業(yè)之一,久日新材、華特氣體、神工股份等緊隨其后,成功登陸科創(chuàng)板,與此同時,正帆科技、格林達等半導體材料企業(yè)在登陸資本市場的進程中進展順利,有望在新的一年迎來里程碑,拓寬了各企業(yè)的融資渠道,也為行業(yè)整體發(fā)展注入新的**。 細分領(lǐng)域發(fā)展不一,部分中**領(lǐng)域**可喜突破 綜合各領(lǐng)域來看,部分領(lǐng)域已實現(xiàn)自產(chǎn)自銷,靶材、電子特氣、CMP拋光材料等細分產(chǎn)品已經(jīng)**較大突破,部分產(chǎn)品技術(shù)標準達到***水平,本土產(chǎn)線已基本實現(xiàn)*批量供貨。2019年我國半導體材料生產(chǎn)企業(yè)用于國內(nèi)半導體晶圓加工領(lǐng)域的銷售額達138億元,同比增長4.4%。整體國產(chǎn)化率提高到23.8%,充分顯示了近年來企業(yè)綜合實力的提升。 硅片方面,2019年國內(nèi)市場規(guī)模8.12億美元,同比增長1.63%。作為半導體材料中成本占比較高的材料,國內(nèi)12/8英寸硅片企業(yè)已**過16家,擬在建產(chǎn)線迭出,2019年各主要產(chǎn)線穩(wěn)步推進。衢州金瑞泓成功拉制出擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的量產(chǎn)型集成電路用12英寸硅單晶棒;中環(huán)良好12英寸硅片廠房安裝了**套設備;徐州鑫晶半導體12英寸大硅片長晶產(chǎn)線試產(chǎn)成功,并陸續(xù)向國內(nèi)和德國等多家客戶發(fā)送試驗樣片;業(yè)界普遍關(guān)注的上海新昇28nm邏輯、3D-NAND存儲正片通過了長江存儲的認證;有研科技集團與德州市**、日本RST公司等共同簽約,建設年產(chǎn)360萬片的12英寸硅片產(chǎn)業(yè)化項目。盡管各企業(yè)小而分散,但大硅片真正實現(xiàn)國產(chǎn)化前景可期。 光掩膜方面,與旺盛的需求形成反差的是國內(nèi)**掩模**能力不足,大量訂單流向海外。目前,半導體用光掩膜國產(chǎn)化率不足1%。內(nèi)資企業(yè)中真正從事半導體用光掩模生產(chǎn)的僅有無錫中微,研究機構(gòu)有中科院微電子所及中國電科13所、24所、47所和55所等,過去一年里,行業(yè)**的實質(zhì)性突破較少。 光刻膠方面,目前國內(nèi)集成電路用i線光刻膠國產(chǎn)化率10%左右,集成電路用KrF光刻膠國產(chǎn)化率不足1%,ArF干式光刻膠、ArFi光刻膠全部依賴進口。2019年,南大光電設立光刻膠事業(yè)部,并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”,全力推進“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”落地實施;同時與寧波經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理**簽署了《投資協(xié)議書》,擬投資開發(fā)**集成電路制造用各種**光刻膠材料以及配套原材料和底部抗反射層等高純配套材料,形成規(guī)?;a(chǎn)能力,建立配套完整的國產(chǎn)光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈。上海新陽248nm光刻膠配套的光刻機已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試,193nm光刻膠配套的光刻機也已到貨。經(jīng)過近三年的研發(fā),關(guān)鍵技術(shù)已有重大突破,已從實驗室研發(fā)轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)研發(fā)。 濕化學品方面,目前半導體領(lǐng)域整體國產(chǎn)化率23%左右。2019年,興發(fā)集團控股子公司湖北興福電子材料有限公司技術(shù)創(chuàng)新**重大突破,電子級磷酸*了中芯**12英寸28nm**制程工藝的驗證測試,開啟了對中芯****制程Fab端的全面供應。此外,長江存儲、廈門聯(lián)芯等**12英寸Fab也開啟了驗證測試。多氟多抓住日韓貿(mào)易戰(zhàn)機會,電子級氫氟酸穩(wěn)定批量出口韓國**半導體制造企業(yè),進入韓國兩大半導體公司的供應鏈中,被較終應用在3D-NAND和 DRAM的工藝制程中,使電子級氫氟酸產(chǎn)品打開**走向世界。 電子特氣方面,目前我國半導體用電子特氣的整體國產(chǎn)化率約為30%。2019年,華特氣體激光準分子混合氣國內(nèi)大規(guī)模起量應用,同時進軍海外市場;金宏氣體TEOS研發(fā)確定重點進展,即將投放市場;綠菱高純電子級四氟化硅質(zhì)量穩(wěn)步提升,國內(nèi)市場份額逐步提高;博純股份氧硫化碳研發(fā)成功;南大光電與雅克科技加大了前驅(qū)體研發(fā)力度。此外,中船七一八所也加大了新含鎢制劑的研制。 CMP拋光材料方面,安集微電子的后道Cu/Barrier拋光液技術(shù)水平與國內(nèi)良好集成電路生產(chǎn)商同步,TSV拋光液在**和國內(nèi)均在良好水平,這幾類拋光液2019年在14nm節(jié)點上實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。鼎龍股份不僅完善了自身的CMP拋光墊型號,從成熟制程到**制程完成全覆蓋,而且進入了長江存儲供應鏈,大部分產(chǎn)品均在晶圓廠進行驗證和測試。 靶材方面,江豐電子已成功突破半導體7nm技術(shù)節(jié)點用Al、Ti、Ta、Cu系列靶材**技術(shù)并實現(xiàn)量產(chǎn)應用,5nm技術(shù)節(jié)點的研發(fā)工作穩(wěn)步進行中。有研億金持續(xù)推進實現(xiàn)納米邏輯器件和存儲器件制備用貴金屬及其合金相關(guān)靶材的開發(fā)與使用。 **封裝材料方面,**承載類材料蝕刻引線框架與封裝基板、線路連接類材料鍵合絲與焊料、塑封材料環(huán)氧塑封料與底部填充料等仍高度依賴進口,2019年國內(nèi)企業(yè)主要在中低端領(lǐng)域有所突破,**領(lǐng)域個別品種實現(xiàn)攻關(guān)。 不確定因素增加,半導體材料業(yè)仍篤定前行 目前,國內(nèi)半導體材料總體上形成了以**企業(yè)為載體,平臺配合推進驗證的能力,具備了一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、技術(shù)積淀,以及人才儲備,部分細分材料領(lǐng)域緊追**水平。但是,**技術(shù)節(jié)點材料市場整體仍被國外壟斷,國產(chǎn)材料突破較少,關(guān)鍵環(huán)節(jié)**材料空白,影響了整個產(chǎn)業(yè)安全。 半導體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移,中國正成為主要承接地,2020年業(yè)界普遍認為5G會實現(xiàn)大規(guī)模商用,熱點技術(shù)與應用推動下,國內(nèi)半導體材料需求有望進一步增長。大基金二期已完成募資,預計三月底可開始實質(zhì)投資,主要圍繞國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)進行,比如智能汽車、智能電網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等,預計將加大對國產(chǎn)半導體材料的投入力度,新一輪的資本介入,將助力半導體材料國產(chǎn)替代進度。 新年伊始,世界經(jīng)濟持續(xù)下行,全年經(jīng)濟疲弱似成定局,肺炎疫情給行業(yè)發(fā)展帶來了沖擊,中美貿(mào)易戰(zhàn)仍未平息,2020年增加了諸多不確定因素。但在確定的發(fā)展目標下,國內(nèi)半導體材料業(yè)必將篤定前行! 作者劉偉鑫系中國電子材料行業(yè)協(xié)會、中國電子化工新材料產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟信息部副主任
詞條
詞條說明
微電子失效分析方法總結(jié) 失效分析 趙工 1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein 微焦點Xray用途:半導體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標準檢測分
《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成,首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中,并加入預先設定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱,以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應,若使用較大的功率來
芯片失效案例分析之EOS** 作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確,芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題,它可能發(fā)生在研發(fā)初期,可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中,還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣,并且它的發(fā)生也無明顯的規(guī)律可循。那么有沒有一些辦法來預防芯片失效的發(fā)生呢?這里會
半導體元器件失效分析性測試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP:即開封,業(yè)內(nèi)也稱開蓋,開帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來 ,同時保持芯片功能的完整無損,為下一步芯片失效分析實驗做準備,方便觀察或做其他測試。通過芯片開封,我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu),從而結(jié)合OM,X-RAY等設備分析判斷樣品的異常點位和失效的可能原因。開封方法及注意
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
手 機: 13488683602
電 話: 01082825511-869
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com