芯片手術(shù)芯片開封介紹 芯片開封也就是給芯片做外科手術(shù),通過(guò)開封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),開封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開封的含義:Decap即開封,也稱開蓋,開帽,指給完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái),同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測(cè)試(如FIB,EMMI),Decap后功能正常。 開封范圍:普通封裝 COB、BGA、QFP、 QFN、SOT、TO、 DIP、BGA、COB 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。 開封方法:一般的有化學(xué)(Chemical)開封、機(jī)械(Mechanical)開封、激光(Laser)開封、Plasma Decap 開封實(shí)驗(yàn)室:Decap實(shí)驗(yàn)室可以處理幾乎所有的IC封裝形式(COB.QFP.DIP SOT 等)、打線類型(Au Cu Ag)。 高分子的樹脂體在熱的濃硝酸(98%)或濃硫酸作用下,被腐去變成易溶于丙酮的低分子化合物,在超聲作用下,低分子化合物被清洗掉,從而露出芯片表層。 開封方法一:取一塊不銹鋼板,上鋪一層薄薄的黃沙(也可不加沙產(chǎn)品直接在鋼板上加熱),放在電爐上加熱,砂溫要達(dá)100-150度,將產(chǎn)品放在砂子上,芯片正面方向向上,用吸管吸取少量的發(fā)煙硝酸(濃度>98%)。滴在產(chǎn)品表面,這時(shí)樹脂表面起化學(xué)反應(yīng),且冒出氣泡,待反應(yīng)稍止再滴,這樣連滴5-10滴后,用鑷子夾住,放入盛有丙酮的燒杯中,在超聲機(jī)中清洗2-5分鐘后,取出再滴,如此反復(fù),直到露出芯片為止,最后必須以干凈的丙酮反復(fù)清洗確保芯片表面無(wú)殘留物。 開封方法二:將所有產(chǎn)品一次性放入98%的濃硫酸中煮沸。這種方法對(duì)于量多且只要看芯片是否破裂的情況較合適。缺點(diǎn)是操作較危險(xiǎn)。要掌握要領(lǐng)。 開封注意點(diǎn):所有一切操作均應(yīng)在通風(fēng)柜中進(jìn)行,且要戴好防酸手套。產(chǎn)品開帽越到最后越要少滴酸,勤清洗,以避免過(guò)腐蝕。清洗過(guò)程中注意鑷子勿碰到金絲和芯片表面,以免擦傷芯片和金絲。根據(jù)產(chǎn)品或分析要求有的開帽后要露出芯片下面的導(dǎo)電膠.,或者*二點(diǎn).另外,有的情況下要將已開帽產(chǎn)品按排重測(cè)。此時(shí)應(yīng)首先放在80倍顯微鏡下觀察芯片上金絲是否斷,塌絲,如無(wú)則用刀片刮去管腳上黑膜后送測(cè)。注意控制開帽溫度不要太高。 分析中常用酸:濃硫酸。這里指98%的濃硫酸,它有強(qiáng)烈的脫水性,吸水性和氧化性。開帽時(shí)用來(lái)一次性煮大量的產(chǎn)品,這里利用了它的脫水性和強(qiáng)氧化性。濃鹽酸。指37%(V/V)的鹽酸,有強(qiáng)烈的揮發(fā)性,氧化性。分析中用來(lái)去除芯片上的鋁層。發(fā)煙硝酸,指濃度為98%(V/V)的硝酸。用來(lái)開帽。有強(qiáng)烈的揮發(fā)性,氧化性,因溶有NO2而呈紅褐色。王水,指一體積濃硝酸和三體積濃鹽酸的混合物。分析中用來(lái)腐金球,因它腐蝕性很強(qiáng)可腐蝕金。
詞條
詞條說(shuō)明
芯片開封技術(shù)laser decap 半導(dǎo)體業(yè)的銅制程芯片越來(lái)越成為發(fā)展主流,這給失效分析中器件開封帶來(lái)越來(lái)越高的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的酸開封已經(jīng)沒(méi)有辦法完成銅制程器件的開封,良率一般**30%。此時(shí)儀準(zhǔn)科技推出的激光開封機(jī),給分析產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的技術(shù)。 產(chǎn)品特點(diǎn): 1、對(duì)銅制程器件有很好的開封效果,良率**90%。 2、對(duì)環(huán)境及人體污染傷害交小,符合環(huán)保理念。 3、開封效率是普通酸開封機(jī)臺(tái)的3~5倍。 4、電
掃描電鏡SEM你了解嗎?掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍: 1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡(jiǎn)單,不需要包埋和切片。 樣品要求: 樣品必須是固體;滿足無(wú)毒,無(wú)放射性,無(wú)污染,無(wú)磁,無(wú)水,成分穩(wěn)定要求。 制備原則: 表面受到污染的試樣,要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的
疫情捐助百萬(wàn)探針臺(tái)無(wú)償捐贈(zèng)湖北
疫情當(dāng)下,中國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展將受到短暫的影響。儀準(zhǔn)科技心系國(guó)家,將愛傳遞,特向受影響較大的湖北省援助**百萬(wàn)的探針臺(tái)。 援助方案分兩部分,總****過(guò)100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺(tái)產(chǎn)品(5臺(tái))。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下: PW-400:4 inch chuck(探針臺(tái)主體) 1 pcs SMZ-168: 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1
熱插拔帶來(lái)的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品,如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問(wèn)題的話,*帶來(lái)EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候,可能會(huì)帶來(lái)瞬時(shí)的大電流,這種大電流,是一種震蕩波,首先,可能直接破壞芯片或器件,而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng),最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí),插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞,經(jīng)過(guò)比對(duì)電性分析,發(fā)現(xiàn)電性明顯異常,進(jìn)行EMMI測(cè)試,發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn),在顯微鏡下,發(fā)現(xiàn)鋁線燒損,判
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