熱插拔帶來的EOS損壞

時間：2020-04-13作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：125

熱插拔帶來的EOS損壞
\使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計存在問題的話，*帶來EOS破壞。
產(chǎn)品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。
某產(chǎn)品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判斷是大部分返修單板均是由于EOS導(dǎo)致內(nèi)部鋁線融化，導(dǎo)致芯片失效。
進一步分析電路，發(fā)現(xiàn)電路設(shè)計應(yīng)用不當(dāng)問題，未采用保護電路，使帶電插拔產(chǎn)生的電浪涌導(dǎo)致芯片產(chǎn)生latchup效應(yīng)，越來越大的大電流最后燒壞芯片，模擬試驗再現(xiàn)了同樣的失效現(xiàn)象。
改進措施：在設(shè)計更改中，增強電路防插拔設(shè)計，增強保護管的電流瀉放能力。在PCB版設(shè)計中，增加限流設(shè)計。
芯片開封實驗室介紹，能夠依據(jù)**、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實施檢測工作，開展從底層芯片到實際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點激光注入等安全檢測服務(wù)，同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務(wù)，主要包括點針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測試驗。實現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。

失效分析實驗室
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  詞條說明

• 失效分析案例介紹

  一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡（發(fā)白）。 3、形狀多為條狀或塊狀。 ４、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 ５、從切片上看，圖電層會包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮；有時成鋸齒狀 2、通常

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