聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.**切割 掃描電鏡(SEM) 服務(wù)介紹:SEM/EDX(形貌觀測(cè)、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線波長(zhǎng)的不同來(lái)測(cè)定試樣所含的元素。通過(guò)對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍:**,航天,半導(dǎo)體,**材料等 服務(wù)內(nèi)容:1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示 5.微區(qū)成分定性及定量分析 芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹,能夠依據(jù)**、國(guó)內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測(cè)工作,開(kāi)展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品,從物理到邏輯全面的檢測(cè)工作,提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測(cè)服務(wù),同時(shí)可開(kāi)展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象,找出失效原因的失效分析檢測(cè)服務(wù),主要包括點(diǎn)針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測(cè)系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測(cè),缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測(cè)試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對(duì)智能產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)估及分析,為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。
詞條
詞條說(shuō)明
Decap芯片內(nèi)開(kāi)封類(lèi)型原理及應(yīng)用
Decap開(kāi)封類(lèi)型原理及應(yīng)用 儀準(zhǔn) AA探針臺(tái) 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫(xiě)明出處Decap即開(kāi)封,也稱開(kāi)蓋,開(kāi)帽,指給完整封裝的IC做*局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái),同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測(cè)試(如FIB,EMMI),Decap后功能正常。 去封范圍:普通封裝 COB
掃描電鏡(SEM) 服務(wù)介紹:SEM/EDX(形貌觀測(cè)、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線波長(zhǎng)的不同來(lái)測(cè)定試樣所含的元素。通過(guò)對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍:**,航天,半導(dǎo)體,**
失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 2.Cro
開(kāi)封機(jī)類(lèi)型 開(kāi)封機(jī)功能介紹
芯片開(kāi)封機(jī)分用化學(xué)腐蝕和激光開(kāi)封兩種,區(qū)別是激光開(kāi)封比較簡(jiǎn)單,而且開(kāi)封銅線邦定的效果好 開(kāi)封指去除ic封膠,同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。也稱為開(kāi)蓋,開(kāi)帽,去封范圍:普通封裝COB、BGA 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。 芯片IC半導(dǎo)體元器件開(kāi)封機(jī)decap酸開(kāi)封機(jī)自動(dòng)開(kāi)封機(jī)激
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
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