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聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改
芯片行業(yè)的困境 過去幾十年,在摩爾定律的指導(dǎo)下,芯片中的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn),并一直延續(xù)到2010年代,至此以后,晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今,主流芯片包含了數(shù)十億個(gè)晶體管,但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時(shí)的速度發(fā)展下去,它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加,被稱為“節(jié)點(diǎn)”。每個(gè)節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于晶體
名稱:半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時(shí)間:每周五下午5-7點(diǎn) 時(shí)長(zhǎng):不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來題目,框架,時(shí)長(zhǎng),個(gè)人簡(jiǎn)介,協(xié)調(diào)好時(shí)間后即可安排。 想做線上分享的,可以聊您擅長(zhǎng)的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話題,時(shí)長(zhǎng)不限 名稱:半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時(shí)間:每周五下午5-7點(diǎn) 時(shí)長(zhǎng):不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來題目,框架,時(shí)長(zhǎng),個(gè)人簡(jiǎn)介,協(xié)調(diào)好時(shí)間后即可安排。
莊子有言:“一日之錘日取其半,萬世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半,明天取其一半的一半,后天再取其一半的一半的一半,總有一半留下,所以永遠(yuǎn)也取不盡,這體現(xiàn)了物質(zhì)是無限可分的思想。魏少軍教授講到,半導(dǎo)體和芯片的發(fā)展,恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小,而且縮小的過程到現(xiàn)在為止還沒有停止。 但是,縮小過程當(dāng)中必須按照某種規(guī)則來進(jìn)行,也就是要按照規(guī)矩,沒有規(guī)矩,那就不能成方圓。這就印證了孟
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
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聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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