失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗,為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含: 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測),屬于無損檢查: X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊,在撞擊過程中,因電子突然減速,其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置,利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強度的變化,產(chǎn)生的對比效果可形成影像,即可顯示出待測物的內(nèi)部結(jié)構(gòu),進而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內(nèi)部有問題的區(qū)域。 檢測內(nèi)容包含: 1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 3.觀測芯片crack、點膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 三、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀(材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察,元素組成常規(guī)微區(qū)分析,精確測量元器件尺寸), SEM/EDX(形貌觀測、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強度實現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對樣品進行微區(qū)成分分析。 檢測內(nèi)容包含: 1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4.納米尺寸量測及標(biāo)示 5.微區(qū)成分定性及定量分析 四、EMMI微光顯微鏡。對于故障分析而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs)Recombination會放出光子(Photon)。如在P-N結(jié)加偏壓,此時N阱的電子很*擴散到P阱,而P的空穴也*擴散至N,然后與P端的空穴(或N端的電子)做EHP Recombination。 檢測內(nèi)容包含: 1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問題 五、 FIB 線路修改,切線連線,切點觀測,TEM制樣,精密厚度測量等 FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。 檢測內(nèi)容包含: 1.芯片電路修改和布局驗證 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.**切割 六、 Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試,探針臺主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)。針對集成電路以及封裝的測試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā),旨在確保質(zhì)量及可靠性,并縮減研發(fā)時間和器件制造工藝的成本。 檢測內(nèi)容包含: 1.微小連接點信號引出 2.失效分析失效確認 3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認 4.晶圓可靠性驗證 ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試(有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試,有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗)這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程。 七、 取die,decap(開封,開帽),研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等,有些也需要相應(yīng)的儀器機臺,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。Decap即開封,也稱開蓋,開帽,指給完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來,同時保持芯片功能的完整無損,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實驗做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測試(如FIB,EMMI), Decap后功能正常。 檢測內(nèi)容包含: 1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 2.樣品減?。ㄌ沾桑饘俪猓? 3.激光打標(biāo) 八、Acid Decap,又叫化學(xué)開封,是用化學(xué)的方法,即濃硫酸及發(fā)煙硝酸將塑封料去除的設(shè)備。通過用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去除塑料的過程又快又安全,并且產(chǎn)生干凈無腐蝕的芯片表面。 檢測內(nèi)容包含: 1.芯片開封(正面/背面) 2.IC蝕刻,塑封體去除 九、RIE是干蝕刻的一種,這種蝕刻的原理是,當(dāng)在平板電極之間施加10~100MHZ的高頻電壓(RF,radio frequency)時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層(ion sheath),在其中放入試樣,離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻,此即為RIE(Reactive Ion Etching)。 檢測內(nèi)容包含: 1.用于對使用氟基化學(xué)的材料進行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢 2.器件表面圖形的刻蝕 十、研磨機,適用于高精微(光鏡,SEM,TEM,AFM,ETC)樣品的半自動準(zhǔn)備加工研磨拋光,模塊化制備研磨,平行拋光,精確角拋光,定址拋光或幾種方式結(jié)合拋光。 檢測內(nèi)容包含: 1.斷面精細研磨及拋光 2.芯片工藝分析 3.失效點的查找 十一、切割機,可以預(yù)置程序定位切割不同尺寸的各種材料,可以高速自動切割材料,提高樣品生產(chǎn)量。其微處理系統(tǒng)可以根據(jù)材料的材質(zhì)、厚度等調(diào)整步進電動機的切割距離、力度、樣品輸入比率和自動進刀比率。 檢測內(nèi)容包含: 1.通過樣品冷埋注塑獲得樣品的標(biāo)準(zhǔn)切面 2.小型樣品的精密切割 十二、金相顯微鏡,可用來進行器件外觀及失效部位的表面形狀,尺寸,結(jié)構(gòu),缺陷等觀察。金相顯微鏡系統(tǒng)是將傳統(tǒng)的光學(xué)顯微鏡與計算機(數(shù)碼相機)通過光電轉(zhuǎn)換**的結(jié)合在一起,不僅可以在目鏡上作顯微觀察,還能在計算機(數(shù)碼相機)顯示屏幕上觀察實時動態(tài)圖像,電腦型金相顯微鏡并能將所需要的圖片進行編輯、保存和打印。 檢測內(nèi)容包含: 1.樣品外觀、形貌檢測 2.制備樣片的金相顯微分析 3.各種缺陷的查找 十三、體視顯微鏡,亦稱實體顯微鏡或解剖鏡。是一種具有正像立體感的目視儀器,從不同角度觀察物體,使雙眼引起立體感覺的雙目顯微鏡。對觀察體*加工制作,直接放入鏡頭下配合照明即可觀察,成像是直立的,便于操作和解剖。視場直徑大,但觀察物要求放大倍率在200倍以下。 檢測內(nèi)容包含: 1.樣品外觀、形貌檢測 2.制備樣片的觀察分析 3.封裝開帽后的檢查分析 4.晶體管點焊、檢查 十四、IV自動曲線量測儀,驗證及量測半導(dǎo)體電子組件的電性、參數(shù)及特性。比如電壓-電流。集成電路失效分析流程中,I/V Curve的量測往往是非破壞分析的第二步(外觀檢查排在第一步),可見Curve量測的重要性。 檢測內(nèi)容包含: 1.Open/Short Test 2.I/V Curve Analysis 3.Idd Measuring 4.Powered Leakage(漏電)Test 十五、高低溫試驗箱箱,適用于工業(yè)產(chǎn)品高溫、低溫的可靠性試驗。對電子電工、汽車電子、航空航天、船舶兵器、高等院校、科研單位等相關(guān)產(chǎn)品的零部件及材料在高溫、低溫(交變)循環(huán)變化的情況下,檢驗其各項性能指標(biāo)。 檢測內(nèi)容包含: 1.高溫儲存 2.低溫儲存 3.溫濕度儲存 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實驗室,能夠依據(jù)**、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實施檢測工作,開展從底層芯片到實際產(chǎn)品,從物理到邏輯全面的檢測工作,提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點激光注入等安全檢測服務(wù),同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象,找出失效原因的失效分析檢測服務(wù),主要包括點針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測,缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測試驗。實現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析,為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。
詞條
詞條說明
失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進,產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學(xué)分析等 失效分析的意義:分析機械零器件失效原因,為事故責(zé)任認定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責(zé)任、保險業(yè)務(wù)
作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確,芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題,它可能發(fā)生在研發(fā)初期,可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中,還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣,并且它的發(fā)生也無明顯的規(guī)律可循。那么有沒有一些辦法來預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢?這里會通過案例來思考下可以通過哪些方
1.外觀檢查 外觀檢查就是目測或利用一些簡單儀器,如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀,尋找失效的部位和相關(guān)的物證,主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。外觀檢查主要檢查PCB的污染、腐蝕、爆板的位置、電路布線以及失效的規(guī)律性、如是批次的或是個別,是不是總是集中在某個區(qū)域等等。另外,有許多PCB的失效是在組裝成PCBA后才發(fā)現(xiàn),是不是組裝工藝過程以及過程所用材料的影
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
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