半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗證

時間：2020-04-18作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：117

儀準科技（北京）有限公司專注于手動探針臺,probe,station等

• 詞條

  詞條說明

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標 一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• BGA封裝介紹

  BGA封裝介紹之一 BGA封裝（Ball Grid Array Package），即球柵陣列，是用于一種集成電路的表面貼裝封裝芯片。小六我剛開始也是有點懵逼，球柵陣列是什么鬼？其實它是在BGA焊接技術(shù)中，所用到的一種輔助設(shè)備，柵即網(wǎng)格，用于BGA引腳定位在PCB焊盤上；球即錫球，或稱錫漿，將錫球放置于焊盤上，稱之為植球。引腳成球狀并排列成一個類似于格子的圖案，由此命名BGA。 說到BGA封裝，我們

• 聚焦離子束FIB詳細介紹

  聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

• 失效分析fib

  失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設(shè)計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設(shè)計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cro