失效分析技術(shù)及失效分析案例

時(shí)間：2020-04-17作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：136

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• 詞條

  詞條說明

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候，可能會(huì)帶來瞬時(shí)的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí)，插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對(duì)電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測(cè)試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn)，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 晶柱成長制程

  《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來

• 集成電路的2020年發(fā)展趨勢(shì)

  集成電路的2020年發(fā)展趨勢(shì) 據(jù)了解，2019年由于受世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的增速減緩、整機(jī)廠商的去庫存化等綜合因素的干擾，**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢(shì)。 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里的關(guān)鍵產(chǎn)品之一，集成電路領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)備受關(guān)注。 集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。縮寫為IC；采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半

• 芯片行業(yè)的困境

  芯片行業(yè)的困境 過去幾十年，在摩爾定律的指導(dǎo)下，芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn)，并一直延續(xù)到2010年代，至此以后，晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今，主流芯片包含了數(shù)十億個(gè)晶體管，但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時(shí)的速度發(fā)展下去，它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加，被稱為“節(jié)點(diǎn)”。每個(gè)節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于晶體